Qisqacha kirish soʻzlari 
Tiristor/Diod Moduli, MTx 500 MFx 500 MT   500,500A ,Suv bilan sovutish ,tECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.   
 
| 600V  800V  1000V  1200V  1400V  1600V  1800V  1800V  | MT3 o'simlik  MT3 o'simlik  MTx500-10-406F3  MTx500-12-406F3  MTx500-14-406F3  MTx500-16-406F3  MTx500-18-406F3  MT500-18-406F3G  | MFx500-06-406F3  MFx500-08-406F3  MFx500-10-406F3  MFx500-12-406F3  MFx500-14-406F3  MFx500-16-406F3  MFx500-18-406F3  | 
MTx har qanday turdagi MTC,  MTA , MTK  
MFx har qanday turdagi MFC,  Tashqi ishlar vazirligi,  MFK 
 
Xususiyatlari 
- Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 3000V~ 
- Bosimli kontakt texnologiyasi bilan   
- Kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati   
- Joy va vaznni tejash 
Oddiy qoʻllanmalar 
- AC/DC motorli dvigatellar 
- Turli to'g'rilovchilar 
- PWM inverter uchun DC ta'minoti 
| Simvol  | XUShMATLAR  | Sinov sharoitlari  | Tj( ℃ ) | Qiymat  | Бирлик  | 
| Min  | TUR  | Maksimal  | 
| IT(AV)  | O'rtacha yoqilgan holatdagi tok  | 180° yarim sinus to'lqini 50Hz  Bir tomonli sovutilgan, THS=55 ℃  |   125 |   |   | 500 | A  | 
| IT ((RMS)  | RMS ish holatidagi tok    |   |   | 785 | A  | 
| Idrm Irrm  | Takroriy cho'qqi oqim  | vDRM va VRRM da  | 125 |   |   | 35 | mA  | 
| ITSM  | To'lqin yoqilgan holatdagi tok  | VR=60%VRRM, t=10ms yarim sinus,  | 125 |   |   | 14.5 | kA  | 
| I2t  | Qayta birikish uchun I2t  | 125 |   |   | 1051 | 103A 2s  | 
| VTO  | Chiziqli kuchlanishni  |   |   125 |   |   | 0.80 | V  | 
| rt  | Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik  |   |   | 0.64 | mΩ  | 
| VTM  | Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish  | ITM=1500A  | 25 |   |   | 1.90 | V  | 
| dv/dt  | O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 1000 | V/μs  | 
| di/dt  | O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi  | Gate manbai 1.5A    tr ≤0.5μs Takroriy    | 125 |   |   | 200 | A/μs  | 
| IGT  | Eshikni ishga tushirish tok  |     VA=12V, IA=1A  |     25 | 30 |   | 200 | mA  | 
| Vgt  | Eshikni ishga tushirish kuchlanishi  | 0.8 |   | 3.0 | V  | 
| IH  | Ushlab turish toki  | 10 |   | 200 | mA  | 
| IL  | Qayta ushlab turish toki  |   |   | 1000 | mA  | 
| VGD  | Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi  | VDM=67%VDRM  | 125 |   |   | 0.20 | V  | 
| Rth(j-c)  | Termal qarshilik kesishdan qutiga  | Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan  |   |   |   | 0.085 | 。C/W  | 
| Rth(c-h)  | Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida  | Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan  |   |   |   | 0.040 | 。C/W  | 
| VISO  | Izolyatsiya kuchlanishi  | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)  |   | 3000 |   |   | V  | 
|   Fm  | Terminal ulanish vring (M12)  |   |   | 12 |   | 14 | N·m  | 
| O'rnatish momenti (M6)  |   |   | 4.5 |   | 6 | N·m  | 
| Tvj  | Junction harorati  |   |   | -40 |   | 125 | 。C  | 
| TSTG  | Saqlash harorati  |   |   | -40 |   | 125 | 。C  | 
| Wt  | Og'irlik  |   |   |   | 1580 |   | g  | 
| Koʻrinish  | 406F3    |