Tez o'chirish tiristor modullari

MK(H)x200 MK200,Fast Turn-off Thyristor Modules,Air Cooling

200A,600V~1800V,413F3D

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x200 MK200

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Юклаш

Kirish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

Tez o'chirish tiristor modullari ,MK(H)x200 MK200, 200A, Havo sovutish ,tECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VRRM,VDRM	Tur va kontur
600V	MKx200-06-413F3D	MHx200-06-413F3D
800V	MKx200-08-413F3D	MHx200-08-413F3D
1000V	MKx200-10-413F3D	MHx200-10-413F3D
1200V	MKx200-12-413F3D	MHx200-12-413F3D
1400V	MKx200-14-413F3D	MHx200-14-413F3D
1600V	MKx200-16-413F3D	MHx200-16-413F3D
1800V	MKx200-18-413F3D	MHx200-18-413F3D
1800V	MK200-18-413F3DG

MKx har qanday turini anglatadi MKC, MKA, MKK

MHx har qanday turini anglatadi MHC, MHA, MHK

Xususiyatlari ：

Izolyatsiyalangan montaj asos e 2500V~
Bosimli kontakt texnologiyasi bilan Kuchaytilgan quvvat aylanish imkoniyati
Joy va vazn sa qish

Oddiy qoʻllanmalar ：

Inverter
Induktiv isitish
Chopper

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( ℃ )	Qiymat			Бирлик
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( ℃ )	Min	TUR	Maksimal	Бирлик
Ман _T(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180° yarim sinus to'lqini 50Hz Bir tomonlama sovutilgan, Tc=85 ℃	125			200	A
Ман _{T ((RMS)}	RMS ish holatidagi tok		125			314	A
Ман _DRMМан _RRM	Takroriy cho'qqi oqim	vDRM va VRRM da	125			50	mA
ITSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			4.8	kA
I2t	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM	125			115	10³A ²s
V _Ga	Chiziqli kuchlanishni		125			1.65	V
r _T	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik		125			0.60	m
V _TM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=600A	25			2.65	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy	125			200	A/μs
tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs	125	20		40	µs
tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs	25	6		16	µs
Ман _GT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A	25	30		180	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi			0.8		2.5	V
IH	Ushlab turish toki			20		200	mA
IL	Qayta ushlab turish toki					1000	mA
V _GD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM=67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.100	℃ /W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.040	℃ /W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V
Fm	Terminal ulanish momenti(M8)			10.0		12.0	N·m
Fm	O'rnatish momenti (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Junction harorati			-40		125	℃
TSTG	Saqlash harorati			-40		125	℃
Wt	Og'irlik				770		g
Koʻrinish	413F3D