Tez o'chirish tiristor modullari

MK(H)x300 MK300, Tez O‘tdirish Tiristor Modullari, Suv Sochqiriqligida Ishlaydi

300A, 600V~1800V, 415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x300 MK300

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Юклаш

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

Tez Oʻtilish Thyristor Mo dullari ,MK(H)x300 MK300 ,30 0A .Havo sovutish,TECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VRRM,VDRM	Tur va kontur
600V	MKx300-06-415F3	MHx300-06-415F3
800V	MKx300-08-415F3	MHx300-08-415F3
1000V	MKx300-10-415F3	MHx300-10-415F3
1200V	MKx300-12-415F3	MHx300-12-415F3
1400V	MKx300-14-415F3	MHx300-14-415F3
1600V	MKx300-16-415F3	MHx300-16-415F3
1800V	MKx300-18-415F3	MHx300-18-415F3
1800V	MK300-18-415F3G

MKx har qanday turini anglatadi MKC, MKA, MKK

MHx har qanday turini anglatadi MHC, MHA, MHK

Xususiyatlari ：

Izolyatsiyalangan o'rnatish bazasi 2500V~
Bosimli kontakt texnologiyasi bilan Kuchaytirilgan quvvat aylanish imkoniyati
Joy va vaznni tejash

Oddiy qoʻllanmalar

Inverter
Induktiv isitish
Chopper

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari		Tj( ℃ )	Qiymat			Бирлик
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari		Tj( ℃ )	Min	TUR	Maksimal	Бирлик
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180。yarim sinus to'lqini 50Hz Bir tomonlama salqinlatilgan,	TC=85 ℃	125			300	A
IT ((RMS)	RMS ish holatidagi tok	180。yarim sinus to'lqini 50Hz Bir tomonlama salqinlatilgan,	TC=85 ℃	125			471	A
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	vDRM va VRRM da		125			80	mA
ITSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM		125			7.30	kA
I2t	Qayta birikish uchun I2t	10ms yarim sinus to'lqini VR=60%VRRM		125			266	10³A ²s
VTO	Chiziqli kuchlanishni			125			1.36	V
rt	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik			125			0.38	mΩ
VTM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=900A		25			2.20	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM		125			800	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy		125			200	A/μs
tq	O'zaro o'zgartirilgan o'chirish vaqti	ITM=300A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs		125	20		40	µs
IGT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A		25	30		200	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi				1.0		3.0	V
IH	Ushlab turish toki				20		200	mA
IL	Qayta ushlab turish toki						1000	mA
VGD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM= 67%VDRM		125			0.2	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan					0.080	。C/W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan					0.040	。C/W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)			2500			V
Fm	Terminal ulanish momenti (M10)				10.0		12.0	N·m
Fm	O'rnatish momenti (M6)				4.5		6.0	N·m
Tvj	Junction harorati				-40		125	℃
TSTG	Saqlash harorati				-40		125	℃
Wt	Og'irlik					1260		g
Koʻrinish	415F3