Elektr transport vositalarining, qayta tiklanadigan energiya manbalarining, sanoat avtomatlashtirishining va ilg'or kuch elektronikasining tez rivojlanishi bilan silitsiy karbid (SiC) kuch yarimo'tkazgichlari keyingi avlod yuqori samarali kuch tizimlari uchun muhim texnologiyaga aylanmoqda.
Anʼanaviy silitsiyga asoslangan qurilmalarga nisbatan SiC qurilmalari yuqori qo'shilish chastotasi, past qo'shilish yo'qotishlari, yuqori haroratga chidamlilik va yaxshilangan kuch zichligi kabi bir nechta texnik afzalliklarga ega. Bu xususiyatlar tizim samaradorligini oshirishga, energiya iste'molini kamaytirishga va yanada maydonli hamda yengil tizim loyihalarini qo'llab-quvvatlashga yordam beradi.
Yuqori samarali kuch yarimo'tkazgichlariga bo'lgan o'sib borayotgan bozor talabini qondirish maqsadida bizning mahsulotlar portfelini to'liq SiC mahsulotlarini o'z ichiga oladigan tarzda kengaytirmoqdamiz mahsulotlar va yechimlarni.
SiC MOSFET modullari
SiC MOSFET alohida qurilmalari
SiC shottki bar'yer diodlari (SBD)
To'liq SiC kuch yechimlari
Bizning mahsulotlarimiz turli sohalarda va qo'llanishlarda, jumladan, quyidagilarda qo'llanilishi mumkin:
Elektr transport vositalari (EV)
Energiya saqlash tizimlari (ESS)
Quyosh inverterlari
Sanoat inversiyalari va dvigatel haydovchilari
EV zaryadlash tizimlari
Quvvat ta'minoti uskunalari
Sanoatni avtomatlashtirish tizimlari
Temir yo'l va yuqori quvvatli sanoat qo'llanilishlari
Mijozlarning ishlash ko'rsatkichlari, qadoqlash turlari, xarajatlarni optimallashtirish va ilova muhit sharoitlari bo'yicha turli talablari bo'lishi mumkinligini tushunamiz. Shu sababli, standart mahsulotlarga qo'shimcha ravishda, mijozlarga ularning loyiha talablariga mos keladigan mahsulot tanlovi va qo'llanilish moslamasini ta'minlashga ham intilamiz.
SiC texnologiyasi jahon bo'ylab rivojlanib, keng tarqalib bormoqda, shu sababli, kelajakdagi energiya va sanoat qo'llanilishlari uchun ishonchli va samarali SiC kuchli yarimo'tkazgich yechimlarini taklif etish maqsadida jahon miqyosidagi mijozlar va hamkorlar bilan hamkorlik qilishga intilamiz.
SCE900N1200ED
SiC moduli
Xususiyatlari
- Yuqori harorat, namlik va doimiy tok ishlash sharoitlari
- Ular past yo'qotish
- Yuqori chastotali ishlash
- MOSFETdan nolga teng bo'lgan qisqa tutish toklari
- Odatda o'chirilgan, xavfsizlikka kafolat beruvchi qurilma ishlashi
- Mis asosli plitka va Alyuminiy nitrid izolyatori
Qo'llanilishi
- Yuqori quvvatli konvertorlar
- Dvigatel haydovchilari
- Servo haydovchilari
- UPS Tizimlari
- Shamol turbinalari
Simvol |
Parametr |
Qiymatlari |
Бирлик |
Sinov Shartlar |
Absolyut Maksimal reyting |
V DS |
Drenaj-manba kuchlanishi |
1200 |
V |
T C =25°C |
Ман D |
Chiqish oqimi (doimiy) |
900 |
A |
T C =25°C |
T J |
Junction harorati |
175 |
。C |
|
Simvol |
Parametr |
Min. |
Tip. |
Max. |
Бирлик |
Sinov Shartlar |
Statik xarakteristika ics |
R DS(on) |
Statik chiqish-manba o'zgarishi Qarshilik |
- |
1.8 |
2.5 |
mΩ |
V GS =18 V; Ман D =450 A; T C =25°C |
Dinamik xususiyatlari |
Q G |
Umumiy darvoza Muammaloq |
- |
2142 |
- |
nC |
V DD =800 V; V GS =-5/+18 V; Ман D =450 A; T C =25°C |
Q GD |
Darvoza–dren zaryadi |
- |
705 |
- |
Manba–dren diodi |
Q Rr |
Qayta tiklanish Muammaloq |
- |
5517 |
- |
nC |
V GS =-5/+18 V; Ман F =500 A; V R =900 V; Yuk = 100 µGn; T J =25°C |
Absolyut Maksimal Baholashlar (at T C =25°C agar boshqa belgilangan )
EN
