IGBT modul,GD950HTX75P6HBT Starpower

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

750

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IXitoy

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

950

A

IC

Kollektor oqimi @ T F =110o C

450

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

1900

A

PD

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75o C T j =175o C

1162

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

750

V

IФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

950

A

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

1900

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 450A,V GE =15V, T j =25o C

1.25

1.50

V

IC= 450A,V GE =15V, T j =150o C

1.35

IC= 450A,V GE =15V, T j =175o C

1.40

IC=950A,V GE =15V, T j =25o C

1.60

IC=950A,V GE =15V, T j =175o C

2.05

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=9.60mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

IC=9.60mA ,V Ce =V GE , T j =175o C

3.5

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =50V,f=100kHz, V GE =0V

42.1

nF

Co'qish

Chiqarish quvvati

1.80

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

1.18

nF

QG

Darvoza zaryadi

V Ce =400V,I C =450A, V GE =-8... +15V

3.01

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A, R G= 2,4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

126

ns

t r

O'sish vaqti

62

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

639

ns

t f

Pasayish vaqti

149

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

17.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

25.4

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A, R G= 2,4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =150o C

136

ns

t r

O'sish vaqti

68

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

715

ns

t f

Pasayish vaqti

221

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

22.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

31.0

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC =400V,I C= 450A, R G= 2,4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

138

ns

t r

O'sish vaqti

68

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

739

ns

t f

Pasayish vaqti

227

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

24.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

32.6

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤6μs, V GE =15V,

5100

A

T j =25o C,V CC =400V, V MET ≤750V

t P≤3μs, V GE =15V,

T j =175o C,V CC =400V, V MET ≤750V

3800

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 450A,V GE =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450A,V GE =0V,T j =150o C

1.35

IF = 450A,V GE =0V,T j =175o C

1.30

IF =950A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

IF =950A,V GE =0V,T j =175o C

1.75

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=7070A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =25o C

16.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

254

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

5.03

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=6150A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =150o C

36.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

320

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

9.49

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R =400V,I F = 450A,

-di⁄dt=6010A⁄μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =175o C

40.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

338

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

10.5

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.75

mΩ

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

T asos <40o C

T asos 40o C

(nisbiy bosim)

2.5 2.0

bar

R thJF

Junction -gacha -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △V/ △t=10.0 dm 3/dAQIQA ,T F =75o C

0.075 0.118

0.086 0.136

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vazn ning Modul

750

g