GD450HFY120C6S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C= 100o C

680

450

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

900

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

2173

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

450

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

900

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 450A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 450A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 450A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC= 11.3 mA,V Ce =V GE ,T j =25o C

5.2

5.8

6.4

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.7

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.31

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

3.50

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 450A, R G= 1,3Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

203

ns

t r

O'sish vaqti

64

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

491

ns

t f

Pasayish vaqti

79

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

16.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

38.0

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 450A, R G= 1,3Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

235

ns

t r

O'sish vaqti

75

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

581

ns

t f

Pasayish vaqti

109

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

27.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

55.5

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 450A, R G= 1,3Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

235

ns

t r

O'sish vaqti

75

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

621

ns

t f

Pasayish vaqti

119

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

30.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

61.5

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1800

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF = 450A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF = 450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF = 450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

46

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

428

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

25.2

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 125o C

87

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

523

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

46.1

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 150o C

100

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

546

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

52.3

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

δR/R

Og'ish ning R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.069

0.108

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Korpusdan Isitgichga (pe r Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.030 0.046 0.009

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

350

g