GD400HFF120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C=90o C

620

400

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

PD

Maksimal quvvat =175o C

2272

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

400

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 400A,V GE =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC= 400A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

IC= 400A,V GE =15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC= 10.0mA,V Ce =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

100

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.9

ω

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G= 0,38Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

1496

ns

t r

O'sish vaqti

200

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1304

ns

t f

Pasayish vaqti

816

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

27.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

20.8

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G= 0,38Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

1676

ns

t r

O'sish vaqti

252

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1532

ns

t f

Pasayish vaqti

872

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

41.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

23.6

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 400A, R G= 0,38Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

1676

ns

t r

O'sish vaqti

260

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1552

ns

t f

Pasayish vaqti

888

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

46.0

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

24.0

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF = 400A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF = 400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

180

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

6.8

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

52.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

264

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

19.5

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

60.8

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

284

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

22.6

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

15

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.25

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.066

0.093

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.034

0.048

0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g