GD400HTX120P6HL,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

400

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F =100 o C

250

A

Ман M

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 o C T j = 175 o C

862

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori voltada gE

1200

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

400

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

250

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

Ман 2t

Ман 2t-qiymati,t p =10ms @ T j = 125 o C @ T j = 150 o C

17860

15664

A 2s

Simvol

Tavsif

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

10s davomida 30s, yuz berish umr davomida maksimal 3000 marta men

-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =250A,V GE =15V, T j =25 o C

1.45

1.80

V

Ман C =250A,V GE =15V, T j = 125 o C

1.65

Ман C =250A,V GE =15V, T j = 150 o C

1.70

Ман C =380A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

Ман C =380A,V GE =15V, T j = 150 o C

2.15

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

Ман C =9.75 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

2.4

ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

33.6

nF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.43

nF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.82

nF

Q G

Darvoza zaryadi

V CE = 600V,I C =250A, V GE =-8... +15V

1.98

μC

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25 o C

231

ns

t r

O'sish vaqti

50

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

545

ns

t f

Pasayish vaqti

172

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

19.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

23.2

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j = 125 o C

241

ns

t r

O'sish vaqti

57

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

619

ns

t f

Pasayish vaqti

247

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

26.6

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

28.7

mJ

t d (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S = 24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j = 150 o C

245

ns

t r

O'sish vaqti

57

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

641

ns

t f

Pasayish vaqti

269

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

30.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

30.9

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

t P ≤6μs, V GE =15V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

Ман F =250A,V GE =0V,T j =25 o C

1.50

1.90

V

Ман F =250A,V GE =0V,T j = 1 25o C

1.45

Ман F =250A,V GE =0V,T j = 1 50o C

1.40

Ман F =380A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

Ман F =380A,V GE =0V,T j = 1 50o C

1.60

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =250A,

-di\/dt=4860A\/μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T j =25 o C

9.10

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

160

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

4.39

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =250A,

-di/dt=4300A/μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T j = 125 o C

21.4

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

192

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

8.43

mJ

Q r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =250A,

-di⁄dt=4120A⁄μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T j = 150 o C

25.7

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

203

A

E rek

Qayta tiklanish Energiya

9.97

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

8

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

64

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosim cuit

2.5

bar

R thJF

Junction -dan -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod)

0.098 0.128

0.116 0.150

K/W

M

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Og'irlik из Modul

750

g