GD3600SGX170C4S,IGBT Moduli,Katta to'kilotli igbt moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=100o C

3600

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

7200

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

21.4

kw

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

3600

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

7200

A

IFSM

To'qimlik sur'i V R =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C

23.22 19.95

kA

I2t

I2t-qiymati,V R =0V,T p =10m s,T j =25o CI2t-qiymati,V R =0V,T p = 10 ms ,t j =150o C

2695

1990

kA2s

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 3600A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC= 3600A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC= 3600A,V GE =15V, T j =150o C

2.30

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=144.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

0.7

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

427

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

10.7

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

35.3

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =25o C

1161

ns

t r

O'sish vaqti

413

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

4761

ns

t f

Pasayish vaqti

430

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

1734

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

2580

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =125o C

1370

ns

t r

O'sish vaqti

547

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

5303

ns

t f

Pasayish vaqti

457

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

2679

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

2881

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 3600A, R Gon = 1,2Ω, R Goff =0.9Ω, V GE =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =150o C

1413

ns

t r

O'sish vaqti

585

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

5490

ns

t f

Pasayish vaqti

473

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

2863

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

2960

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V MET ≤ 1700V

14.0

kA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 3600A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 3600A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF = 3600A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=7000A/μs,V GE =-9V, LS =65nH ,T j =25o C

207

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

1030

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

199

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=5700/μs,V GE =-9V, LS =65nH ,T j =125o C

288

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

1020

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

339

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, LS =65nH ,T j =150o C

391

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

996

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

341

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

6.0

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.085

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

7.0 12.8

K/kW

R tCH

Holat -gacha -Issiqlik sinki (perIGBT )Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

6.2 11.3 4.0

K/kW

d Yovuzlik

Terminal va issiq yotiri orasida Terminal va terminal orasida

32.2 32.2

мм

d Aniq

Terminal va issiq yotiri orasida Terminal va terminal orasida

19.1 19.1

мм

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 Terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M8 Montaj vringli kuch M6 shrub

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vazn ning Modul

2060

g