GD75HFX170C1S, IGBT Moduli, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

150

A

PD

Maksimal Quvvat Bo'shilish @ T vj =175o C

539

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

75

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

150

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC= 75A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC= 75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=3.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

8.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.22

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

0.71

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, Ls =60nH ,T vj =25o C

237

ns

t r

O'sish vaqti

59

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

314

ns

t f

Pasayish vaqti

361

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

25.0

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

9.5

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, Ls =60nH ,T vj =125o C

254

ns

t r

O'sish vaqti

70

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

383

ns

t f

Pasayish vaqti

524

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

33.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

15.1

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, Ls =60nH ,T vj =150o C

257

ns

t r

O'sish vaqti

75

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

396

ns

t f

Pasayish vaqti

588

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

36.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

16.6

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V MET ≤ 1700V

300

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF = 75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15V Ls =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

58

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

7.2

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V Ls =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

64

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

15.8

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V Ls =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

64

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

18.2

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

30

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.65

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.278 0.467

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.160 0.268 0.050

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

150

g