iGBT turi
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) turdagi tranzistor quvvat yarimo'tkazgich texnologiyasidagi yangi yutug'ni ifodalaydi, MOSFET hamda bipolyar tranzistorlarning eng yaxshi tomonlarini birlashtiradi. Bu g'ildirak qurilma yuqori kuchlanish va tokni ushlab tura oladigan ajoyib o'tkazish xususiyatlariga ega. Kuchlanish bilan boshqariladigan kalit sifatida ishlaydigan IGBT turdagi qurilmalar quvvat o'zgartirish sohalari, odatda 600V dan 6500V gacha bo'lgan kuchlanishlar va yuzlab amper tokni uzatishda juda samarali ishlaydi. Qurilmaning tuzilishida tez o'zgarish tezligini ta'minlovchi, lekin past o'tkazish yo'qotishlarini saqlab turuvchi noyob shikastalangan eshik dizayni mavjud. Zamonaviy dasturlarda IGBT turlari sanoat elektr dvigatellarini boshqarish, yangilanuvchi energiya tizimlari hamda elektr transport vositalarining quvvat tizimlarida muhim rol o'ynaydi. Yuqori quvvat darajasini minimal yo'qotish bilan nazorat qila olish qobiliyati ularni energiya tejash sohasida ayniqsa qimmatli qiladi. Texnologiyada murakkab issiqlikni boshqarish imkoniyatlari hamda ishonchli ishlashni kafolatlovchi himoya mexanizmlari bor, bu esa ularning qiyin vaziyatlarda ham ishonarli ishlashini ta'minlaydi. Murakkab IGBT turlariga shuningdek qisqa tutashuv himoyasi hamda haroratni nazorat qilish funksiyalari kiritilgan bo'lib, ularni tanqid qilish uchun juda ishonchli qiladi.