GD300HFX170C2SA,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

600

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

1829

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

300

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC= 300A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC= 300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=12.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

36.1

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.88

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

2.83

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =25o C

355

ns

t r

O'sish vaqti

71

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

473

ns

t f

Pasayish vaqti

337

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

89.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

46.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =125o C

383

ns

t r

O'sish vaqti

83

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

549

ns

t f

Pasayish vaqti

530

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

126

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

68.5

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R G=2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =150o C

389

ns

t r

O'sish vaqti

88

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

575

ns

t f

Pasayish vaqti

585

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

139

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

73.4

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V MET ≤ 1700V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

IF = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE = 15V Ls =42nH ,T vj =25o C

68

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

202

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

34.5

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE = 15V Ls =42nH ,T vj =125o C

114

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

211

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

61.2

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE = 15V Ls =42nH ,T vj =150o C

136

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

217

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

73.9

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.35

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.082 0.127

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.033 0.051 0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g