IGCT,Asimmetrik IGCT qurilmasi,SC3.CRC 2200-45,CCRC, Qaytish kondutiv

V _DRM

4500

V

Ман _TGQM

2200

A

Ман _TSM

20

kA

V Ga

1.31

V

r _T

0.373

mΩ

V _DClink

2800

V

符号

参数名称

eng kichik

典型

maksimal

单位

F

zichlik

36

40

44

kN

D p

台面 toʻgʻriligi

-

85

-

мм

H

管高度 (suyugʻlik)

-

26

-

мм

m

质量

-

2.8

-

kg

D s

爬电距离

33

-

-

мм

D a

放电距离

10

-

-

мм

Ман

BQT 长度

-

439

-

мм

h

BQT yuqorilik

-

41

-

мм

w

BQT 宽度

-

174

-

мм

符 号

参 son nom 称

条 件

eng 小

典 型

eng 大

bir o'lchov

V DRM

断态重复 eng yuqori elektr bosim

门极单元上电 , T VJ = 125°C, Ман D ≤ Ман DRM, t p = 10 ms

-

-

4500

V

Ман DRM

断态重复 yuqori qiymat elektr oqimi

门极单元上电 , T VJ = 125°C, V D = V DRM, t p = 10 ms

-

-

50

mA

V DClink

oʻrta toʻgʻridan-toʻgʻri oqim elektr bosim

门极单元上电 , 100FIT foydalanishning yoʻqligi

-

-

2800

V

V RRM

qarshi elektr bosim

/

-

-

17

V

符 号

参 son nom 称

条 件

eng 小

典 型

eng 大

bir o'lchov

Ман T(AV) Ман T ((RMS)

o'rtacha elektr oqimi

通态方均根 elektr oqimi

T C = 85°C, to'g'ri to'lqin , 双面冷却 (Qoʻldagi sovuq)

-

-

-

-

1130

1800

A

A

Ман TSM

Ман 2t

通态 non重复浪涌电流 (Tashqiriqlik)

电流平方时间积

T Vj =

125 °C, to'g'ri to'lqin , 10 ms, V D = V R = 0

-

-

-

-

20

200

kA

104A2s

V TM

通态 elektr bosim

T Vj =

125 °C, Ман T = 2200A

-

-

2.24

V

V Ga

r T

门 elektr bosim

斜率 elektr qarshiligi

T Vj =

125 °C, Ман T = 400...3000A

-

-

-

-

1.31

0.373

V

mΩ

符 号

参 son nom 称

条 件

eng 小

典 型

eng 大

bir o'lchov

d ман T /dt

通态 elektr oqimi chegarasi koʻtarilish darajasi

T Vj = 125 °C, Ман T = 2200A, V D = 2800V,

f = 0..500 Hz, Ман TM ≤ 2640A, DCL=SF4.FYX 1100-45

-

-

650

A/μs

t don

开通延迟时间

-

3

μs

t donSF

开通反延迟时间 (oylanish vaqti)

T Vj = 125 °C, Ман T = 2200A, V D = 2800V,

CCL = 10μF, d ман /dt = V D/Li, RS = 0,4Ω,

-

-

7

μs

t r

阳极 elektr bosimining pasayishi

L i = 3μH, L CL = 0,3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

E включено

单脉冲开通能量 (Yun impuls ochiq energiya)

-

-

0.9

J

符 号

参 son nom 称

条 件

eng 小

典 型

eng 大

bir o'lchov

Ман TGQM

maksimum kesib tashlanadigan elektr oqimi

T VJ = 125°C, V Dm ≤ V DRM, V D = 2800V, L CL ≤ 0,3 μH gacha, C CL = 10μF, R S = 0,4Ω, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

2200

A

t toʻxtatish

o'chirish kechikishi

-

-

7

μs

t doffSF

关断反延迟时间 (Qoʻriqlash vaqti)

T Vj = 125 °C, Ман TGQ = 2200A, V D = 2800V,

V Dm ≤ V DRM, C CL = 10μF, R S = 0,4Ω,

-

-

7

μs

t f

tushish vaqti

L i = 3μH, L CL = 0,3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

E o'chirilgan

单脉冲关断能量 (birlamchi kuchlanish)

-

-

12

J

符 号

参 son nom 称

条 件

eng 小

典 型

eng 大

bir o'lchov

Ман F ((AV)

Ман F (RMS )

oʻrtacha oqim

T C = 85°C , to'g'ri to'lqin

-

-

405

A

toʻgʻri yoʻnalishdagi oʻxshashlik

-

-

635

A

Ман FSM

Ман 2t

to'lqin tok

电流平方时间积

t p = 10 ms, T VJ = 125°C, V R = 0V

-

-

11

kA

-

-

60.5

104A2s

V F

通态 elektr bosim

Ман F = 2200A, T VJ = 125°C

-

-

3.93

V

V (F0)

r F

门 elektr bosim

斜率 elektr qarshiligi

T VJ = 125°C, Ман F = 400...3000A

-

-

2.32

V

-

-

0.735

mΩ

符 号

参 son nom 称

条 件

eng 小

典 型

eng 大

bir o'lchov

V FR

toʻgʻri oʻrnatish eng yuqori elektr bosim

d ман F/d t = 650A/μs, T VJ = 125°C

-

-

80

V

符 号

参 son nom 称

条 件

eng 小

典 型

eng 大

bir o'lchov

T Vj

ishchi tuzilganlik

0

-

125

℃

T STG

saqlash temperaturu doirasi

/

0

-

60

℃

T AMB

atrof muhit temperaturu doirasi

0

-

50

℃

BQT R tJC BQT

结热阻

接触热阻

双面冷却 (Qoʻldagi sovuq)

-

-

-

-

0.0126

0.0042

K/W

K/W

FRD R tJC FRD

结热阻

接触热阻

双面冷却 (Qoʻldagi sovuq)

-

-

-

-

0.0260

0.0104

K/W

K/W