GD650HFX170P1S,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=650A,V GE =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=650A,V GE =15V, T j =125o C

2.35

IC=650A,V GE =15V, T j =150o C

2.45

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Kuchlanish

IC=24.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Tok

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Tok

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.3

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

72.3

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.75

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

5.66

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =± 15V,T j =25o C

468

ns

t r

O'sish vaqti

86

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

850

ns

t f

Pasayish vaqti

363

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

226

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

161

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =± 15V,T j = 125o C

480

ns

t r

O'sish vaqti

110

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1031

ns

t f

Pasayish vaqti

600

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

338

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

226

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =± 15V,T j = 150o C

480

ns

t r

O'sish vaqti

120

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1040

ns

t f

Pasayish vaqti

684

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

368

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

242

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

2600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Kuchlanish

IF =650A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =650A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

IF =650A,V GE =0V,T j = 150o C

2.02

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

176

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

765

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

87.4

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

292

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

798

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

159

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

341

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

805

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

192

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Maksimal

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

δR/R

Og'ish ning R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K