Qisqa kirish soʻzlari koʻrsatilgan
IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqilgan. 1700V 650A
Xususiyatlari
-
Past V Ce (sat ) Oʻrmon IGBT texnologiya
-
10μs qisqa uzilish qobiliyati oʻzlashtirish
-
V Ce (sat ) bilan ijobiy harorat koeffitsiyenti
-
Maksimal junction harorati 175o C
-
Qayta tiklanadigan kengaytirilgan diod amal
- DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich
-
Yuqori quvvat va issiqlik aylanishi qobiliyati ta
Oddiy Qo'llanilish sohalari
- Yuqori quvvatli konvertor
- Shamol va Quyosh Energiya
- Tortishish Drayvi
Absolyut Maksimal Baholashlar T C=25o C agar boshqa eslatma
IGBT
Simvol |
TA'RIF |
Qiymat |
Бирлик |
V CES |
Kollektor-emitter kuchlanishi |
1700 |
V |
V GES |
Chiqargichning kuchlanishi |
±20 |
V |
IC |
Kollektor oqimi @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
1073
650
|
A |
ISm |
Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms |
1300 |
A |
PD |
Maksimal quvvat j =175o C |
4.2 |
kw |
Diod
Simvol |
TA'RIF |
Qiymat |
Бирлик |
V RRM |
Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi |
1700 |
V |
IF |
Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara |
650 |
A |
IFm |
Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms |
1300 |
A |
Modul
Simvol |
TA'RIF |
Qiymat |
Бирлик |
T jmax |
Maksimal bogʻlanish harorati |
175 |
o C |
T joʻp |
Ishlanish boʻgʻinlari harorati |
-40 dan +150 gacha |
o C |
T STG |
Saqlanish harorati Diapazon |
-40 dan +150 gacha |
o C |
V ISO |
Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa |
4000 |
V |
IGBT Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Бирлик |
|
V Oʻzbekiston Respublikasi
|
Kollektordan emitentga
Toʻyinganlik kuchlanmasi
|
IC=650A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.90 |
2.35 |
V
|
IC=650A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.35 |
|
IC=650A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.45 |
|
V GE (th) |
Darvoza emittorining chegarasi Voltaj |
IC=24.0mA ,V Ce =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Kollektor Кесиш -O'chirilgan
Jorov
|
V Ce =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
IGES |
Darvoza emittorining oqishi Jorov |
V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Ichki darvoza qarshiligi oʻtish |
|
|
2.3 |
|
ω |
Cies |
Kirish sig'imi |
V Ce =25V, f=1Mhz,
V GE =0V
|
|
72.3 |
|
nF |
Cres |
Orqaga oʻtish
Kalitlik
|
|
1.75 |
|
nF |
QG |
Darvoza zaryadi |
V GE =- 15...+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =± 15V,T j =25o C
|
|
468 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
86 |
|
ns |
t d (o'chirilgan ) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
850 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
363 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Aylantirish
Yoʻqotish
|
|
226 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
Oʻchirishni oʻchirish
Yoʻqotish
|
|
161 |
|
mJ |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =± 15V,T j = 125o C
|
|
480 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
110 |
|
ns |
t d (o'chirilgan ) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
1031 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
600 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Aylantirish
Yoʻqotish
|
|
338 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
Oʻchirishni oʻchirish
Yoʻqotish
|
|
226 |
|
mJ |
t d (yoqilgan ) |
O'chirish kechikish vaqti |
V CC = 900V,I C=650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =± 15V,T j = 150o C
|
|
480 |
|
ns |
t r |
O'sish vaqti |
|
120 |
|
ns |
t d (o'chirilgan ) |
Oʻchirish Kechiktirish vaqti |
|
1040 |
|
ns |
t f |
Pasayish vaqti |
|
684 |
|
ns |
Eyoqilgan |
Oʻchirish Aylantirish
Yoʻqotish
|
|
368 |
|
mJ |
Eo'chirilgan |
Oʻchirishni oʻchirish
Yoʻqotish
|
|
242 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC ma'lumotlari
|
t P≤ 10 μs,V GE =15V,
T j =150o C,V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V
|
|
2600
|
|
A
|
Diod Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Бирлик |
|
V F
|
Oldinga chiquvchi diod
Voltaj
|
IF =650A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
IF =650A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
IF =650A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
2.02 |
|
Qr |
Qaytarib olinadigan to'lov |
V R = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
176 |
|
μC |
IRM |
Yuqori pogʻonalar orqaga
Qayta tiklash oqimi
|
|
765 |
|
A |
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
|
87.4 |
|
mJ |
Qr |
Qaytarib olinadigan to'lov |
V R = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C
|
|
292 |
|
μC |
IRM |
Yuqori pogʻonalar orqaga
Qayta tiklash oqimi
|
|
798 |
|
A |
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
|
159 |
|
mJ |
Qr |
Qaytarib olinadigan to'lov |
V R = 900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C
|
|
341 |
|
μC |
IRM |
Yuqori pogʻonalar orqaga
Qayta tiklash oqimi
|
|
805 |
|
A |
Erek |
Qayta tiklanish Energiya |
|
192 |
|
mJ |
NTC Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Sinov sharoitlari |
Min. |
Tip. |
Max. |
Бирлик |
R 25 |
Reyting qarshiligi |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Og'ish ning R 100 |
T C= 100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Quvvat
Bo'shilish
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-qiymat |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-qiymat |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-qiymat |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Xususiyatlari T C=25o C agar boshqa belgilangan
Simvol |
Parametr |
Min. |
Tip. |
Max. |
Бирлик |
LCe |
Yolgʻizlik induktansiyasi |
|
18 |
|
nH |
R CC+EE |
Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish |
|
0.30 |
|
mΩ |
R tJC |
Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)
Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)
|
|
|
35.8
71.3
|
K/kW |
|
R tCH
|
Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)
Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)
Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)
|
|
13.5
26.9
4.5
|
|
K/kW |
|
D
|
Terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4 Terminal ulashishi Moment, Burg'u M8 Montaj vringli kuch Screw M5 |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10.0
6.0
|
N.M
|
G |
Vazn ning Modul |
|
810 |
|
g |
EN
