GD300HFX170C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C= 100o C

493

300

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

600

A

PD

Maksimal quvvatni yoʻq qilish T =175o C

1829

W

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 300A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 300A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC= 300A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC= 12,0 mA,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

36.1

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.88

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

2.83

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R G= 2,4Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

204

ns

t r

O'sish vaqti

48

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

595

ns

t f

Pasayish vaqti

100

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

69.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

63.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R G= 2,4Ω

v GE =±15V, T j = 125o C

224

ns

t r

O'sish vaqti

55

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

611

ns

t f

Pasayish vaqti

159

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

96.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

99.0

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 300A, R G= 2,4Ω

v GE =±15V, T j = 150o C

240

ns

t r

O'sish vaqti

55

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

624

ns

t f

Pasayish vaqti

180

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

107

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

105

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

1200

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

55

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

297

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

32.2

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

116

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

357

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

68.2

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

396

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

120

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

81.6

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.082

0.129

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g