GD400HFX170C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C= 100o C

648

400

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

800

A

PD

Maksimal quvvatni yoʻq qilish T =175o C

2380

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

V

IF

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

400

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

800

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 dAQIQA

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 400A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 400A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC= 400A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC= 16.0 mA,V Ce =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.88

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

48.2

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.17

nF

S G

Darvoza zaryadi

V GE =- 15V…+15V

3.77

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 400A, R G=0.82Ω,V GE =±15V, T j =25o C

204

ns

t r

O'sish vaqti

38

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

425

ns

t f

Pasayish vaqti

113

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

97.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

84.0

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 400A, R G=0.82Ω,V GE =±15V, T j =125o C

208

ns

t r

O'sish vaqti

50

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

528

ns

t f

Pasayish vaqti

184

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

141

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

132

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 400A, R G=0.82Ω,V GE =±15V, T j =150o C

216

ns

t r

O'sish vaqti

50

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

544

ns

t f

Pasayish vaqti

204

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

161

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

137

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 100V, V MET ≤ 1700V

1600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF = 400A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 400A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF = 400A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

116

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

666

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

63.8

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

187

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

662

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

114

mJ

S r

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

209

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

640

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

132

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻzlashtirilishi nce, terminaldan chipga

0.35

mΩ

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.063

0.105

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.032

0.053

0.010

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g