GD150HCX170C6SA ,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

281

150

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

300

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

1136

W

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

150

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

300

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=150A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=150A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=6.00mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

4.3

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

18.1

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.44

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

1.41

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V GE =±15V, Ls =48nH ,T vj =25o C

206

ns

t r

O'sish vaqti

44

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

337

ns

t f

Pasayish vaqti

331

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

39.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

21.7

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V GE =±15V, Ls =48nH ,T vj =125o C

232

ns

t r

O'sish vaqti

54

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

422

ns

t f

Pasayish vaqti

514

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

55.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

32.7

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V GE =±15V, Ls =48nH ,T vj =150o C

239

ns

t r

O'sish vaqti

57

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

442

ns

t f

Pasayish vaqti

559

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

60.8

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

34.9

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V MET ≤ 1700V

600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

IF =150A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V GE = 15V Ls =48nH ,T vj =25o C

42.8

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

142

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

22.3

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V GE = 15V Ls =48nH ,T vj =125o C

64.7

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

147

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

35.0

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V GE = 15V Ls =48nH ,T vj =150o C

72.0

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

148

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

38.8

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

LCe

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT ) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.132 0.209

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)

0.029 0.047 0.009

K/W

D

Terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

350

g