iGBT moduli
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) moduli kuchlanish elektronikasidagi yangi yutug' hisoblanadi va MOSFET hamda bipolyar tranzistor texnologiyalarining eng yaxshi jihatlarni birlashtiradi. Bu murakkab yarimo'tkazgichli qurilma zamonaviy kuchlanishni boshqarish sohalari uchun muhim komponent sifatida xizmat qiladi, ajoyib o'tkazish imkoniyatlari hamda samarali kuchlanishni boshqarishni ta'minlaydi. Modul turli konfiguratsiyalarda joylashtirilgan bir nechta IGBT chiplardan tashkil topgan bo'lib, unda shuningdek, antiparalel diodlar hamda optimal issiqlikni boshqarish uchun maxsus paketlash ham bor. 1 kGts dan 100 kGts gacha bo'lgan chastotalarda ishlaydigan IGBT modullari 600V dan 6500V gacha bo'lgan kuchlanishlarni hamda yuzlab minglab amper toklarni ushlab turish imkoniyatiga ega. Bu modullar yuqori kuchlanish hamda tokni boshqarish imkoniyatiga ega sohalarda ajoyib natijalarni namoyish qiladi va sanoat elektr dvigatellarini boshqarish, yangilanuvchi energiya tizimlari hamda elektr transport vositalarining kuchlanish tizimlarida kerak bo'lmaydigan darajada muhim hisoblanadi. Yangi shiklda ishlab chiqilgan tarkibiy boshqaruv tizimi aniq o'tkazishni nazorat qilishni ta'minlaydi, shuningdek, oshiqcha tok, qisqa tutashuv hamda ortiqcha haroratga qarshi himoya funksiyalari ham qo'shilgan. Zamonaviy IGBT modullari shuningdek, to'g'ridan-to'g'ri mis bilan biriktirilgan (DCB) substratlar hamda qattiq sharoitlarda ishonchli ishlashni ta'minlaydigan rivojlangan sovutish tizimlari kabi murakkab issiqlikni boshqarish yechimlarini o'z ichiga oladi.