Kısa giriş: 
CRRC tarafından üretilen yüksek voltajlı, tek anahtarlı IGBT modülleri. 4500V 900A. 
Özellikler 
| Düşük anahtarlama için SPT+çip seti  kayıpları  | 
| Düşük  V CEsat  | 
| Düşük sürücü  güç    | 
| A yüksek için lSiC taban plakası  güç    c   döngü  kapasite y  | 
| Düşük termal için AlN alt tabakası  direnç  | 
 
 Tipik uygulama 
| Traction drives  | 
| DC kesici  | 
| Yüksek voltajlı inverterler/dönüştürücüler  | 
 
 En yüksek nominal değerler 
| Parametre/参数  | Sembol/符号  | Koşullar/条件  | min  | max  | Birim  | 
| Toplayıcı-Sütücü Voltajı  集电极 -发射极电压  | V CES  | V GE  =0V,T vj  ≥25°C  |   | 4500 | V  | 
| DC Toplayıcı  akım  集电极电流 (Küçük elektrik)  | Ben   C    | T   C    =80°C  |   | 900 | A  | 
| Zirve kolektör  akım  集电极峰值电流  | Ben   CM  | tp=1ms,Tc=80°C  |   | 1800 | A  | 
| Kapı-Emitör Voltajı  栅极发射极电压  | V GES  |   | -20 | 20 | V  | 
| Toplam  güç Dissipasyonu  toplam güç kaybı  | P tot  | T   C    =25°C,perswitch(IGBT)  |   | 8100 | W  | 
| DC İleri Akım  doğru akım  | Ben   F  |   |   | 900 | A  | 
| Zirve ileri akım  zirve doğru akım  | Ben   FRM  | tp=1ms  |   | 1800 | A  | 
| Dalgalanma  akım  浪涌电流  | Ben   FSM  | V R  =0V,T vj  =125°C,tp=10ms,  yarım sinüs dalgası  |   | 6700 | A  | 
| IGBT kısa  dEVRE  SOA  IGBT kısa devre güvenli çalışma alanı  |   t   psc  |   V CC  =3400V,V CEMCHIP ≤4500V  V GE  ≤15V,Tvj≤125°C  |   |   10 |   μ sahip  | 
| İzolasyon voltajı  绝缘 elektrik basıncı  | V i̇zol  | 1 dakikada, f=50Hz  |   | 10200 | V  | 
| Çapraz sıcaklık  结温  | T   vj  |   |   | 150 | ℃  | 
| Junction çalışma sıcaklığı erature   çalışma soğukluğu  | T   vj(op)  |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Kasa sıcaklığı  温  | T   C    |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Depolama Sıcaklığı     depolama sıcaklığı  | T   sTG  |   | -50 | 125 | ℃  | 
| Montaj torkları  montaj gücü  | M   Sahip  |   | 4 | 6 | Nm  | 
| M   T   1 |   | 8 | 10 | 
| M   T   2 |   | 2 | 3 |   | 
 
IGBT özellik değerleri 
| Parametre/参数  | Sembol/符号  | Koşullar/条件  | Min  | tUR  | max  | Birim  | 
| Toplayıcı  (- emici)  kopma  voltaj    集电极 -发射极阻断电压  |   V (BR) CES  | V GE  =0V,IC=10mA,  Tvj=25°C  |   4500 |   |   |   V  | 
| Kollektör-emiter doygunluğu  voltaj    集电极 -发射极饱和电压  |   V CEsat  | Ben   C    =900A,  V GE  =15V  | Tvj=  25°C  |   | 2.7 | 3.2 | V  | 
| Tvj=125°C  |   | 3.4 | 3.8 | V  | 
| Kolektör kesme  akım  集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı)  | Ben   CES  | V CE  =4500V,  V GE  =0V  | Tvj=  25°C  |   |   | 10 | mA  | 
| Tvj=125°C  |   |   | 100 | mA  | 
| Kapı  sızıntı akımı  极漏电流 (Hızlı akış)  | Ben   GES  | V CE  =0V,V GE  =20V,  T   vj  =125°C  | -500 |   | 500 | nA  | 
| Kapı-Emitör Sınır Voltajı  栅极发射极阀值电压  | V GE(th)  | Ben   C    =240mA,V CE  =V GE , T   vj  =25°C  | 4.5 |   | 6.5 | V  | 
| Kapı  şarj    极电荷  | Q g  | Ben   C    =900A,V CE  =2800V,  V GE  =-15V  … 15V  |   | 8.1 |   | μC  | 
| Girdi Kapasitesi   giriş elektrik kapasitesi  | C   ies  |     V CE  =25V,V GE  =0V,   f=1MHz,T vj  =25°C  |   | 105.6 |   |       nF  | 
| Çıkış Kapasitesi   çıkış elektrik kapasitesi  | C   - Evet.  |   | 7.35 |   | 
| Ters transfer kapasitansı  ters transfer kapasitansı  | C   res  |   | 2.04 |   | 
| Açma gecikmesi  time  开通延迟时间  | t   d(on)  |         V CC  =2800V,  Ben   C    =900A,  R G  =2.2 ω    , V GE  =±15V,  L   σ =280nH,  感性负载 (duygu yükü)  | Tvj  =    25 °C    |   | 680 |   |     ns  | 
| Tvj  =  125 °C    |   | 700 |   | 
| Kalkma zamanı.  升时间  | t   r  | Tvj  =    25 °C    |   | 230 |   | 
| Tvj  =  125 °C    |   | 240 |   | 
| Kapatma gecikme süresi  kapatma gecikmesi  | t   d (oFF ) | Tvj  =    25 °C    |   | 2100 |   |     ns  | 
| Tvj  =  125 °C    |   | 2300 |   | 
| Sonbahar zamanı  düşen zaman  | t   f  | Tvj  =  25 °C    |   | 1600 |   | 
| Tvj  =  125 °C    |   | 2800 |   | 
| Açma Anahtarlama  kayıp enerji  açma kayıp enerjisi  | E oN  | Tvj  =  25 °C    |   | 1900 |   | mJ  | 
| Tvj  =125  °C    |   | 2500 |   | 
| Kapatma Değiştirme  kayıp enerji  kapatma kayıp enerjisi  | E oFF  | Tvj  =  25 °C    |   | 3100 |   | mJ  | 
| Tvj  =125  °C    |   | 3800 |   | 
| Kısa devre  akım  kısa devre akımı  | Ben   SC  | t   psc ≤    10μ s, V GE  =15V,    T   vj =  125°C,V CC  =  3400V  |   | 3600 |   | A  |