Skaista ievads:
Augstsprieguma, vienas slēdža IGBT moduļi, ko ražo CRRC. 4500V 900A.
Īpašības
SPT+ķēde zema slēgšanas zaudējumi |
Zema V CEsat |
Zema vadīšana jauda |
A lSiC pamatne augstai jauda c ciklošanai spējai y |
AlN substrāts zema siltuma pretestība |
Tipiska pIEKTAIS
Vilces piedziņas |
DC griezējs |
Augsts sprieguma invertori/konvertori |
Maksimālās nominālās vērtības
Parametrs/参数 |
Simbols/符号 |
Nosacījumi/条件 |
min |
max |
Drošības un drošības politika |
Sildītājs-izsildītājs kolektors -Izstarošanas spriegums |
V Tips |
V ĢEN =0V,T vj ≥25°C |
|
4500 |
V |
DC kolektors pašreiz 集电极电流 |
I C |
T C =80°C |
|
900 |
A |
Pīķa kolektors pašreiz kolektora maksimālā strāva |
I CM |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
1800 |
A |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums vārsta izstarošanas spriegums |
V =150 °C |
|
-20 |
20 |
V |
Kopēja jaudas izkliede kopējā jaudas zudums |
P tot |
T C =25°C,perswitch(IGBT) |
|
8100 |
Platums |
DC priekšējā strāva tiešā pozitīvā strāva |
I F |
|
|
900 |
A |
Pīķa priekšējā strāva pīķa pozitīvā strāva |
I Diodes uzpriekšējā strāva |
tP=1ms |
|
1800 |
A |
Pārspriegums pašreiz 浪涌电流 |
I FSM |
V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, puse-sinusa viļņi |
|
6700 |
A |
IGBT īss īpašums SOA IGBT īssavienojuma drošības darba zona |
t pSc
|
V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V ĢEN ≤15V,Tvj≤125°C
|
|
10
|
μ s
|
Izolācijas spriegums 绝缘电压 |
V izoli |
1 min, f=50 Hz |
|
10200 |
V |
Junkcijas temperatūra 结温 |
T vj |
|
|
150 |
°C |
Savienojuma darba temperatūra erature darba temperatūra |
T vj(op) |
|
-50 |
125 |
°C |
Korpusa temperatūra 温 |
T C |
|
-50 |
125 |
°C |
Uzglabāšanas temperatūra 储存温度 |
T sTG |
|
-50 |
125 |
°C |
Montāžas griezes momenti instalācijas jauda |
M S |
|
4 |
6 |
Nm |
M T 1 |
|
8 |
10 |
M T 2 |
|
2 |
3 |
|
IGBT raksturlielumu vērtības
Parametrs/参数 |
Simbols/符号 |
Nosacījumi/条件 |
Min |
tips |
max |
Drošības un drošības politika |
Kolektors (- emiters) pārtraukums spriegums
kolektors -Izstarošanas bloķēšanas spriegums
|
V (BR) CES
|
V ĢEN =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500
|
|
|
V
|
Sātums kolektorā un emitentā spriegums
kolektors -Izstarošanas piesātinājuma spriegums
|
V CEsat
|
I C = 900A, V ĢEN =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.7 |
3.2 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.4 |
3.8 |
V |
Kolektora izslēgšana pašreiz 集电极截止电流 (Klīniskā elektriskā plūsma) |
I Tips |
V CE =4500V, V ĢEN =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
mA |
Vārsts svārstīšanās strāva 极漏电流 |
I =150 °C |
V CE =0V,V ĢEN =20V, T vj = 125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Vārsta-emisijas sliekšņa spriegums vārsta izstarošanas sliekšņa spriegums |
V GE (š) |
I C = 240mA,V CE =V ĢEN , T vj =25°C |
4.5 |
|
6.5 |
V |
Vārsts uzlāde 极电荷 |
Q g |
I C = 900A,V CE = 2800V, V ĢEN =-15V … 15V |
|
8.1 |
|
μC |
Ies ievades jauda |
C 125 °C |
V CE =25V,V ĢEN =0V, f=1MHz,T vj =25°C
|
|
105.6 |
|
mHz
|
Izvades jauda izejas jauda |
C ejs |
|
7.35 |
|
Apgādes pārneses kapacitāte atpakaļ pārvietošanās kapacitāte |
C pretestība |
|
2.04 |
|
Ieslēgšanas aizkave laiks ieslēgšanas aizkaves laiks |
t d ((on) |
V CC = 2800V,
I C = 900A,
R G =2.2 ω ,
V ĢEN =±15V,
Garums σ =280nH,
感性负载
|
TVj = 25 °C |
|
680 |
|
ns
|
TVj = 125 °C |
|
700 |
|
Atkāpšanās laiks pacešanās laiks |
t r |
TVj = 25 °C |
|
230 |
|
TVj = 125 °C |
|
240 |
|
Izslēgšanas kavējuma laiks izslēgšanas aizkave |
t d (izslēgt ) |
TVj = 25 °C |
|
2100 |
|
ns
|
TVj = 125 °C |
|
2300 |
|
Nolieku laiks nepieciešams |
t f |
TVj = 25 °C |
|
1600 |
|
TVj = 125 °C |
|
2800 |
|
Slēpšanas pārvēršana zudumu enerģija ieslēgšanas zudumu enerģija |
E ieslēgta |
TVj = 25 °C |
|
1900 |
|
mJ |
TVj =125 °C |
|
2500 |
|
Izslēgtas zudumu enerģija izslēgšanas zudumu enerģija |
E izslēgt |
TVj = 25 °C |
|
3100 |
|
mJ |
TVj =125 °C |
|
3800 |
|
Īssaites strāva pašreiz īssavienojuma strāva |
I SC |
t pSc ≤ 10μ s, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 125°C,V CC = 3400V |
|
3600 |
|
A |