ホームページ / 製品 / IGBTモジュール / IGBTモジュール 1200V
主な特徴
典型的な用途
| シンボル | 試験条件 | レーティング | ユニット |
| 総額 | Tj=25°C | 1200 | V |
| 集積回路 | TC=100°C、Tj=175°C | 40 | A |
| ICRM | tp=1ms | 80 | A |
| VGES | -- | ±20 | V |
| Ptot | TC=25°C、Tj=175°C | 214 | W について |
IGBT、電気的パラメータ
| パラメータ | シンボル | 試験条件 | ほんの少し | タイプ | マックス | ユニット | |
| コレクタ－エミッタ飽和電圧 | VCEsat | IC=40A ，VGE=15V ，Tj=25°C | -- | 1.94 | -- | V | |
| IC=40A ，VGE=15V ，Tj=125°C | -- | 2.33 | -- | ||||
| IC=40A ，VGE=15V ，Tj=150°C | -- | 2.43 | -- | ||||
| ゲート－エミッタしきい値電圧 | VGEth | IC=1.5mA、VGE=VCE、Tj=25°C | 5.2 | 6.08 | 6.5 | V | |
| コレクタ―エミッタ遮断電流 | ICES | VCE = 1200V ，VGE=0V ，Tj=25°C | -- | -- | 1 | mA | |
| ゲート漏れ電流 | ゲノム | VCE＝0V、VGE＝±20V、Tj＝25°C | -500 | -- | 500 | nA | |
| ゲート電荷 | 司令部 | VGE = −15 V～+15 V、VCC = 600 V、IC = 40 A | -- | 0.24 | -- | µC | |
| 入力容量 | サイエス | f = 1 MHz、VCE = 25 V、VGE = 0 V、Tj = 25 °C | -- | 3.13 | -- | ロープ | |
| 出力容量 | コース | 0.17 | |||||
| 逆方向伝送容量 | クレス | -- | 0.09 | -- | |||
| オン (オン) | VCC = 600 V | Tj=25°C | -- | 45.6 | -- | nS | |
| 立ち上がり遅延時間 | IC＝40A、 | Tj=125°C | -- | 28.5 | -- | nS | |
| VGE＝±15V、 | Tj=150°C | -- | 28.8 | -- | nS | ||
| 立ち上がり時間 | tr | Rg(ON)＝12Ω ， | Tj=25°C | -- | 44.2 | -- | nS |
| Tj=125°C | -- | 54.1 | -- | nS | |||
| Tj=150°C | -- | 54.9 | -- | nS | |||
| ターンオフ遅延時間 | 消して | Rg(OFF)＝12Ω、 | Tj=25°C | -- | 139.4 | -- | nS |
| Tj=125°C | -- | 169.8 | -- | nS | |||
| Tj=150°C | -- | 173 | -- | nS | |||
| 立ち下がり時間 | tF | Tj=25°C | -- | 234.1 | -- | nS | |
| Tj=125°C | -- | 293.8 | -- | nS | |||
| Tj=150°C | -- | 278.6 | -- | nS | |||
| ターンオンエネルギー（パルス当たり） | エオン | Tj=25°C | -- | 4.61 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 6.56 | -- | mJ | |||
| Tj=150°C | -- | 7.01 | -- | mJ | |||
| ターンオフエネルギー（パルス当たり） | オーフ | Tj=25°C | -- | 2.19 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 3.28 | -- | mJ | |||
| Tj=150°C | -- | 2.93 | -- | mJ | |||
| 短絡電流 | 短絡電流 | VGE≤15V、VCC=600V、tp≤ | Tj=125°C | -- | 243 | -- | A |
| 10μs、VCES≤1200V | |||||||
| 熱抵抗（ジャンクション～ケース） | RthJC | PerIGBT | -- | -- | 0.7 | 総量 | |
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