IGBT 3300V 62.5A IGBT チップ 高圧IGBT チップ 超低損失薄型IGBTチップ 高耐久性SPT+設計 広い安全動作領域 絶縁被膜：窒化物＋ポリイミド

パラメータ

シンボル

条件

価値

ユニット

ほんの少し

マックス

集合器-放出器の電圧

V _CES

V _{遺伝子組み換え} = 0 V

3300

V

DCコレクタ電流

わかった _C

63

A

ピークコレクタ電流

わかった _Cm

Tvjmaxによる制限

125

A

ゲート・エミッター・ボルト

V _{総エネルギー}

-20

+20

V

IGBT 短絡 SOA

t _psc

V CC = 2500 V, V 単数 ≤ 3300 V, V 遺伝子組み換え ≤ 15 V,T vj ≤ 150 違う C

10

μs

接合温度

T _vj

-40

125

°C

パラメータ

シンボル

条件

価値

ユニット

分。

タイプする

マックス。

コー コレクタ-エミッタ破壊電圧

特別特別特別特別特別

VGE = 0 V、IC = 1 mA、Tvj = 25 °C

3300

V

コレクタ-エミッタ飽和電圧

衛星の VCE (衛星)

IC = 63 A、VGE = 15 V

Tvj = 25 °C

2.45

2.95

V

Tvj = 150 °C

3.30

3.80

V

コレクタ-エミッタカットオフ電流

ICES

VCE = 3300 V,VGE = 0 V

Tvj = 25 °C

100

µA

Tvj = 150 °C

2000

µA

ゲート-エミッタリーク電流

ゲノム

VCE = 0 V,VGE = ±20 V, Tvj = 150 °C

-500

500

nA

ゲート-エミッタ閾値電圧

総額は

IC = 10 mA、VCE = VGE、Tvj = 25 °C

5.8

6.8

7.8

V

ゲートチャージ

司令部

IC = 63 A, VCE = 1800 V, VGE = -15 V ~ 15 V

500

nC

入力容量

サイエス

VCE = 25 V、VGE = 0 V、f = 1 MHz、Tvj = 25 °C

6.38

ロープ

輸出容量

コース

0.5

ロープ

逆転移容量

クレス

0.13

ロープ

内部ゲート抵抗

RGint について

5

ω

オンする遅延時間

オン (オン)

VCC = 1800 V、IC = 63 A、

RG = 24 Ω、CGE = 13.75 nF、VGE = ±15 V、

Ls = 3600 nH、誘導負荷

Tvj = 25 °C

600

nS

Tvj = 150 °C

680

nS

昇る時間

について

Tvj = 25 °C

260

nS

Tvj = 150 °C

300

nS

オフ遅延時間

消して

Tvj = 25 °C

1700

nS

Tvj = 150 °C

1900

nS

秋の時間

tF

Tvj = 25 °C

1000

nS

Tvj = 150 °C

1500

nS

オンスイッチングエネルギー

エオン

VCC = 1800 V、IC = 63 A、

RG = 24 Ω、CGE = 13.75 nF、VGE = ±15 V、

Ls = 3600 nH、誘導負荷、

FWD: ½ DD125F33K2

Tvj = 25 °C

67

mJ

Tvj = 150 °C

91

mJ

オフスイッチングエネルギー

オーフ

Tvj = 25 °C

88

mJ

Tvj = 150 °C

110

mJ

短絡電流

短絡電流

VGE = 15 V、tpsc ≤ 10 µs、VCC = 2500 V、Tvj = 150 °C、VCEM ≤ 3300 V

270

A