■Eigenschaften
-
Ultrageringe Verluste dünnes IGBT-Die
- Hoch robustes SPT+-Design
- Große SOA
- Passivierung: Nitride plus Polyimid
■ Maximum Nennwerte
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheit |
min |
max |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
V CES |
V GE = 0 V |
|
3300 |
V |
DC Kollektorstrom |
I C |
|
|
63 |
A |
Spitzenstrom des Kollektors |
I CM |
- Die Firma Tvjmax |
|
125 |
A |
Spannung des Tor-Emitters |
V GES |
|
-20 |
+20 |
V |
IGBT Kurzschluss SOA |
t psc |
V CC = 2500 V, V CEM ≤ 3300 V, V GE ≤ 15 V,T vj ≤ 150 ° C |
|
10 |
μs |
Junction-Temperatur |
T vj |
|
-40 |
125 |
°C |
■ IGBT Charakteristische Werte
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheit |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Co kollektor-Emitter-Durchbruchspannung |
V(BR)CES |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
3300 |
|
|
V |
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung |
VCE (Sat) |
Die Leistung der Prüfungen ist zu messen. |
Tvj = 25 °C |
|
2.45 |
2.95 |
V |
Tvj = 150 °C |
|
3.30 |
3.80 |
V |
Kollektor-Emitter Abschaltstrom |
ICES |
VCE = 3300 V,VGE = 0 V |
Tvj = 25 °C |
|
|
100 |
µA |
Tvj = 150 °C |
|
2000 |
|
µA |
Gate-Emitter Leckstrom |
IGES |
VCE = 0 V,VGE = ±20 V, Tvj = 150 °C |
-500 |
|
500 |
nA |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung |
VGE(th) |
IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C |
5.8 |
6.8 |
7.8 |
V |
Gate-Ladung |
QG |
IC = 63 A, VCE = 1800 V, VGE = -15 V ~ 15 V |
|
500 |
|
nC |
Eingangskapazität |
Cies |
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
6.38 |
|
nF |
Ausgangskapazität |
Coes |
|
0.5 |
|
nF |
Rückwärtsübertragungs-Kapazität |
Cres |
|
0.13 |
|
nF |
Interner Gate-Widerstand |
RGint |
|
|
5 |
|
ω |
Verzögerungszeit der Einleitung |
die Daten sind nicht verfügbar. |
VCC = 1800 V, IC = 63 A,
RG = 24 Ω, CGE = 13,75 nF, VGE = ±15 V,
Ls = 3600 nH, induktive Last
|
Tvj = 25 °C |
|
600 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
680 |
|
nS |
Aufstiegszeit |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
260 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
300 |
|
nS |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
td (ausgeschaltet) |
Tvj = 25 °C |
|
1700 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
1900 |
|
nS |
Herbstzeit |
tF |
Tvj = 25 °C |
|
1000 |
|
nS |
Tvj = 150 °C |
|
1500 |
|
nS |
Einschalt-Schaltenergie |
EON |
VCC = 1800 V, IC = 63 A,
RG = 24 Ω, CGE = 13,75 nF, VGE = ±15 V,
Ls = 3600 nH, induktive Last,
FWD: ½ DD125F33K2
|
Tvj = 25 °C |
|
67 |
|
mJ |
Tvj = 150 °C |
|
91 |
|
mJ |
Ausschalt-Schaltenergie |
EOFF |
Tvj = 25 °C |
|
88 |
|
mJ |
Tvj = 150 °C |
|
110 |
|
mJ |
Kurzschlussstrom |
ISC |
VGE = 15 V, tpsc ≤ 10 µs, VCC = 2500 V, Tvj = 150 °C, VCEM ≤ 3300 V |
|
270 |
|
A |
IGBT-Dies Katalog
- Eine vielfältige Produktpalette erfüllt die Kundenanforderungen an IGBT-Dies mit unterschiedlichen Spannungsebenen.
- Kunden können zwischen 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafern wählen, was ihnen hilft, die Kosten effektiv zu senken.
IGBT Dies-Katalog
Artikel Nr.
|
S p ec |
TECHNOLOGIE |
Band |
Spannung |
C strom |
10 |
4500V |
50A |
Ep T -FS |
|
mit einem Stromverbrauch von |
62,5 A |
Ep T -FS |
|
mit einer Leistung von |
75A |
Trench-FS |
|
100A |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
1200V |
100A |
Trench-FS |
|
140a |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
250A |
Trench-FS |
|
300A |
Trench-FS |
|
950V |
100A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
750V |
200A |
Trench-FS |
|
315A |
Trench-FS |
|
650V |
75A |
Trench-F S |
|
Automatisierte moderne Fabriken
Die moderne automatisierte Fabrik stellt sicher, dass alle Leistungsindikatoren unserer produkte höchst konsistent sind und die Unterschiede in den Parametern jedes Produkts so gering wie möglich gehalten werden. Dies gewährleistet nicht nur die Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit unserer Produkte, sondern ist auch eine wichtige Voraussetzung für den sicheren und zuverlässigen Betrieb der Anlagen unserer Kunden.
Gut ausgestattetes Labor
Wir verfügen über ein gut ausgestattetes Labor zur Prüfung und kontrollieren streng die Qualität unserer Produkte. Dadurch wird sichergestellt, dass die Konformitätsrate der an unsere Kunden ausgelieferten Produkte 100 % erreicht.
Ausreichende Produktionskapazität
Die starke Gesamtstärke des Herstellers und ausreichende Produktionskapazitäten gewährleisten die termingerechte Lieferung jeder Bestellung.
Breite Anwendungen
Unsere IGBT-Dies können die Anforderungen für die Fertigung von IGBT-Modulen in elektrischen Geräten für Industrie-Anwendungsbereiche wie Schienenverkehr, Stromübertragung, Solarenergieerzeugung, Energiespeicherung, Induktionserwärmungseinrichtungen, Schweißgeräte und automatische Steuerungen erfüllen.
Die breite Palette industrieller Anwendungen hat die Qualität unserer IGBT-Dies vollständig bestätigt und von Kunden große Anerkennung und Zustimmung erfahren.
Unsere Benutzer
Unsere Kunden kommen aus verschiedenen Industriezweigen.
Warum uns wählen?
B beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter von Halbleiterprodukten wie IGBT-Modulen, IGBT-Discretes, IGBT-Chips, ADC/DAC, Thyristoren in China und ist hauptsächlich mit der offiziellen Distribution der Marken CRRC, Starpower, Techsem NARI beschäftigt. Mit Import- und Exportqualifikationen sowie 11 Jahren Erfahrung in dieser Branche exportieren wir nach Russland, in die Vereinigten Arabischen Emirate und viele andere europäische Länder.
Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller, über professionelle Technik-Teams und Produkt-Qualitätskontrolle verfügen wir, um den reibungslosen Projektablauf für Kunden in den Bereichen Schienenverkehr, Energiewirtschaft, Elektrofahrzeuge, Motorsteuerumrichter und Frequenzumrichter sicherzustellen.
Zudem ist die Unterstützung unserer Kunden bei der Anpassung verschiedener Thyristoren und Leistungsbaugruppen entsprechend ihren speziellen Parametervorgaben ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Vertragsfertigung und einer unserer Vorteile.
Sichere Lieferung
Wir arbeiten mit führenden internationalen Speditionsunternehmen zusammen, um eine pünktliche Beförderung zu gewährleisten.
Gleichzeitig verpacken wir sorgfältig jede Charge waren gemäß den Anforderungen unserer Kunden, um sicherzustellen, dass unsere Waren unversehrt und beschädigungsfrei ankommen.
EN
