TIM500GDM33-PSA011 Yangi Asli CRRC IGBT Quvvat Moduli Diskret Semiconductor Transistor Choppers Inverters/Konverterlar Traqsiya

Kompaniya profilsi

Pekin World E To Texnologiyalari Co., Ltd. texnologik kompaniya hisoblanadi va import-export sertifikatiga ega, innovatsiya va mukammaliyat principlarida asoslangan, halqaro semikonduktor alternativ yechimlari va texnologiyalarda oldinda turibdi. Kompaniya semikonduktor mahsulotlari dizayni, shartnoma asosida taxlil va tarqatishda mutaxassislik o‘rgani. Biz hamkorlardan tanishuvda muhim talablar ko‘rsatamiz, faqat birinchi darajadagi dizayn va ishlab chiqarish texnologiyasiga ega texnologik kompaniyalar va ishlab chiqaruvchilar bilan hamkorlik qilamiz. Zavod avtomatik transmissiya qatorlarining optimallashtirilgan taxlili bizning shartnoma asosida ishlab chiqarishning boshqa muhim qismidir.

Bizning mahsulotlar

1	IGBT moduli va Suruvchi
2	IGCT moduli va Suruvchi
3	Inverter yadro plitasi
4	Diod moduli
5	Tiristor moduli
6	Oqim sensori
7	Kondensator
8	Qarshilik
9	Tuyak holatdagi relé
10	Sanoat robotlari va asosiy qismlar
11	Fuqaroliksiz havokullar va asosiy qismlar

Maxsulotlar ta'rifi

Xususiyatlari

(1) AISiC Asosiy plita yuqori quvvatli sikl yetarligi uchun
(2) AIN substractlar past harorat kuchi uchun
(3) Yuqori termik sikl qabiliyati
(4) Yuqori oqim zichligi

(5) 10μs singari joriy yetarligi
(6) Pastki VCEsat

Oddiy qoʻllanmalar

(1) Tortishish drayverlari
(2) Motor boshqaruvi
(3) Choppers
(4) O'rta kuchlanish invertorlari/konvertorlari

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Yuqori voltajli IGBT modullari

Kalit Parametrlar

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V _CES		3300	V
V _{Oʻzbekiston Respublikasi}	Tip.	2.4	V
Ман _C	Max.	500	A
Ман _M	ICRM	1000	A

Mutlaq maksimal reytinglar

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V _CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	3300	V
V _GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман _C	Kollektor oqimi @ T _C=100℃	500	A
Ман _M	Izublik kollektor to'kini, tp=1ms, Tc=140°C	1000	A
P _tot	Jami quvvat ishlanganligi, TC=25°C, har bir viloyat (IGBT) uchun	5200	W
Ман ²t	Diod I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V _isol	1min,f=50Hz	6000	V
t _psc	IGBT qisqa tutashuv SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
Ман _F	DC oldinga oqim	500	A
Ман _FRM	Максимал жаҳонгир ток ,tp=1ms	1000	A
Q _PD	Қисмий разряд,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
O'rnatish momentlari	M _SУрналаш – M6	5	Nm
		M _T1Elektr ulanishlari – M4		2
		M _T2Elektr ulanishlari – M8		8

Diod Xususiyat Qiymatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	typ	Max.	Qiymat		Бирлик
V _F	Oldinga Kuchlanish IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 15 0°C		2.25	2.7	V		℃
Ман _rr	Teskari tiklanish tok Ман _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _rr	Qaytarib olinadigan to'lov Ман _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		µC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _rek	Energiya qayta tiklanishi Ман _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

IGBT xususiyat qiymatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
_{V _CEsat}	Kollektor-emitter satura siya qarshi voltaj.I _C=500A,V _GE=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
Ман _GES	Darvoza oqimi	V _CE=0V, V _GE=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{ЖЕ (ТН)}	Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi	Ман _C=40mA, V _CE=V _GE, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
Ман _CES	Kollektor-emitor satura siya voltaj.V _CE=3300V,V _GE=0V	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
Ман _SC	Qisqa uzilish oqimi	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
Ман _FRM	Diodning yuqori oqimi oldinga	t _P= 1ms		500		A
t _{d ((on)}	O'chirish kechikish vaqti	Tvj = 25 °C		650		ns
				Tvj = 125 °C		630		ns
				Tvj = 150 °C		620		ns
t _d(off)	O'chirish kechikish vaqti	Tvj = 25 °C		1720		ns
				Tvj = 125 °C		1860		ns
				Tvj = 150 °C		1920		ns
Ман _SC	Qisqa uzilish oqimi	t _psc≤ 10μs, V _GE=15V, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
Cies	Kirish sig'imi	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF
Qg	Darvoza zaryadi	C=500A,V _CE=1800V,V _GE=-15V…15V		5.0		µC
Cres	Teskari o'tkazish sig'imi	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF
E _{включено}	Yoqish o'zgarish yo'qotish energiyasi Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(YOQ)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _GE=100nF,V _GE=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _o'chirilgan	O'chirishni o'chirish energiya yo'qotishi Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Nega bizni tanlash kerak

1. biz faqat birinchi sinfdagi texnologiyaga ega bo'lgan Xitoy ishlab chiqaruvchilari tomonidan mahsulotlarni tarqatamiz. Bu bizning asosiy o'lchovimiz.
2. Ishlab chiqaruvchilar tanovushini ajratib olishda shiddatli talablarimiz mavjud.
3. Xitoydan mijozlar uchun alternativ yechimlarni taqdim etish imkoniyatiga ega bo'lamiz.
4. Biz mas'uliyatgan jamoa egasiman.

Maxsulot paketlashi