CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT Moduli 1700V Inverterlar Konverterlar Datchiklar Asli Yangi Turbinalar Diskret Semikonduktor Modullari

Kompaniya profilsi

Pekin World E To Texnologiyalari Koʻ, Ltd. import va eksport sertifikatiga ega texnologik kompaniya hisoblanadi. Yenovatorlik va mustaqil rivojlantirish principlarida asoslangan, kompaniya poluprovodnik alternativ yechimlari va texnologiyalarda oldindagi joyda turib kelmoqda. Kompaniya poluprovodnik mahsulotlari dizayni, shartnoma asosida to‘lov qilinadigan taxminiy mahsulotlar va tarqatishga mo‘ljallangan. Bizning hamkorlarimizni tanlashda juda murakkab talablar mavjud, faqat birinchi darajali dizayn va ishlab chiqarish texnologiyasiga ega texnologik kompaniyalar va ishlab chiquvchilar bilan hamkorlik qilamiz. Zavod avtomatik transmissiya qatorlari optimizatsiyasi bizning shartnoma asosida ishlab chiqarishining boshqa muhim qismidir.

Bizning mahsulotlar

1	IGBT moduli va Suruvchi
2	IGCT moduli va Suruvchi
3	Inverter yadro plitasi
4	Diod moduli
5	Tiristor moduli
6	Oqim sensori
7	Kondensator
8	Qarshilik
9	Energiya saqlash tizimi
10	Sanoat robotlari va asosiy qismlar
11	Fuqaroliksiz havokullar va asosiy qismlar

Maxsulotlar ta'rifi

Xususiyatlari

(1) AISiC Asosiy plita yuqori quvvatli sikl yetarligi uchun
(2) Cu asosli plastinka
(3) Yuqori termik sikl qabiliyati
(4) Yuqori oqim zichligi

(5) 10μs singari joriy yetarligi
(6) Pastki VCEsat

Oddiy qoʻllanmalar

(1) Motor drayverlari
(2) Yuqori quvvatli konverterlar
(3) Shamol Turbinlari
(4) Yuqori Ishonchlilik Inverteri

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Yarim qiyiduvchi IGBT

Kalit Parametrlar

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V _CES		1200	V
V _{Oʻzbekiston Respublikasi}	Tip.	1.85	V
Ман _C	Max.	1000	A
IC(RM)	Max.	2000	A

Absolyut maksimal barchak qiymatlar( Tcase = 25°C bundan boshqa belgilanmagan bo'lsa )

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V _CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
V _GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман _C	Kollektor to'kimi @ Tcase = 90 °C	1000	A
Ман _C(PK)	Maksimal kollektor to'kimi ,tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _maksimal	Maksimal transistor quvvati,Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Ман ²t	Diod I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V _isol	(Умумий терминallар база плита гачида), AC RMS, 1 мин, 50Hz	4000	V
Ман _F	Dioda oldindan jarayon, DC	1000	A
Ман _FRM	Диоднинг максимал токи ортга ,tp=1ms	2000	A
O'rnatish momentlari	Теңлиқ – M5	6	Nm
	Теңлиқ – M5	6
		Elektr ulanishlari – M8		10

Elektr xususiyatlari

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

typ

Max.

Qiymat

Бирлик

V _F

Diodning oldinga kuchlanishi

Ман _F=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

Ман _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Ман _F=1000A, V _GE= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Ман _FRM

Diodning yuqori oqimi oldinga

t _P= 1ms

2000

A

Ман _F

Диоднинг ортга токи,

DC

1000

A

Irr

Diod orqaga
qayta tiklash oqimi

AG =1000A,
VCE = 900V,
- dAG/dt = 7200A/mс
(Tvj = 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

Diod orqaga
qaytarib olish haqi

285

μC

315

340

E _rek

Diodning teskari tiklanish energiyasi

AG =900A,
VCE = 600V,
- dAG/dt = 6800A/mс
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Elektr xususiyatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V _{СЕ (сат)}	Kollektsioner-Emitter To'yingan Kuchlanishi	V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 150°C			2.2	2.6
Ман _CES	Kollektorni to'xtatish joriy	V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 25°C			1	mA
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 125°C				10
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 150°C				20
Ман _GES	Darvoza oqimi	V _CE=0V, V _GE= ±20V,			4	μA
V _{ЖЕ (ТН)}	Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi	Ман _C= 40мА, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _{d ((on)}	O'chirish kechikish vaqti @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj = 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		ns
								1410
								1440
td(off)	O'chirish kechikish vaqti @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj = 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		ns
								470
								450
Ман _SC	Qisqa uzilish oqimi	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
Cies	Kirish sig'imi	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Teskari o'tkazish sig'imi	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
Qg	Darvoza zaryadi	±15V		11.4		µC
E _{включено}	O'chirish energiya yo'qotilishi @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	AG =1000A, VCE = 900V, - dAG/dt = 7200A/mс (Tvj = 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _o'chirilgan	O'chirishni o'chirish energiya yo'qotishi @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - dAG/dt = 7200A/mс (Tvj = 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Nega bizni tanlash kerak

1. biz faqat birinchi sinfdagi texnologiyaga ega bo'lgan Xitoy ishlab chiqaruvchilari tomonidan mahsulotlarni tarqatamiz. Bu bizning asosiy o'lchovimiz.
2. Ishlab chiqaruvchilar tanovushini ajratib olishda shiddatli talablarimiz mavjud.
3. Xitoydan mijozlar uchun alternativ yechimlarni taqdim etish imkoniyatiga ega bo'lamiz.
4. Biz mas'uliyatgan jamoa egasiman.

Maxsulot paketlashi