Alibaba'dan

CRRC 1700V 2400A Yuqori Voltaj IGBT Moduli TIM2400ESM17-TSA000 Yangi/Asli Smart Grid Quvvat Moduli Choppers Inverter Converter

CRRC 1700V 2400A Yuqori Voltaj IGBT Moduli TIM2400ESM17-TSA000 Yangi/Asli Smart Grid Quvvat Moduli Choppers Inverter Converter

Kirish

Kompaniya profilsi

Pekin World E To Technology Co., Ltd. import va export sertifikatiga ega texnologik kompaniya hisoblanadi. Innovatsiya va mustaqillik principlarida tizimlangan, poluprovodnik alternativ yechimlari va texnologiyalarda oldinda turadi. Poluprovodnik mahsulotlari dizayni, shartnoma asosidagi to'lov va tarqatish bilan shug'ullanadi. Biz hamkorlardan tanashuvda muhim talablar ko'rsatamiz, faqat birinchi sinfdagi dizayn va ishlab chiqarish texnologiyasiga ega texnologik kompaniyalar va ishlab chiqaruvchilar bilan hamkorlik qilamiz. Zavod avtomatik transmissiya qatorlarining optimallashtirilgan shartnomasi bizning shartnomaga asoslangan ishlab chiqarishning boshqa muhim qismi hisoblanadi. .

Bizning mahsulotlar

1	IGBT moduli va Suruvchi
2	IGCT moduli va Suruvchi
3	Inverter yadro plitasi
4	Diod moduli
5	Tiristor moduli
6	Oqim sensori
7	Kondensator
8	Qarshilik
9	Tuyak holatdagi relé
10	Sanoat robotlari va asosiy qismlar
11	Fuqaroliksiz havokullar va asosiy qismlar

Maxsulotlar ta'rifi

Xususiyatlari

(1) AISiC Asosiy plita
(2) AIN substractlar
(3) Yuqori termik sikl qabiliyati
(4) 10μs qisqa jiro holatini o‘z ichiga olgan

(5) P pastki (sat) qurilmagan

(6) Yuqori oqim zichligi

Oddiy qoʻllanmalar

(1) Tortishish drayverlari
(2) Motor boshqaruvi
(3) Smart Grid
(4)Yuqori Xavfsizlik Inverteri

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17(E)

1700V/2400A Bitta Ishlab Chiqarish IGBT

Kalit Parametrlar

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
V _CES		1700	V
V _{Oʻzbekiston Respublikasi}	Tip.	1.75	V
Ман _C	Max.	2400	A
Ман _C(RM)	IC(RM)	4800	A

Mutlaq maksimal reytinglar

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Qiymat	Бирлик
V _CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _GES	Chiqargichning kuchlanishi	T _C= 25 °C	±20	V
Ман _C	Kollektor-emitter oqimi	T _C= 75°C	2400	A
Ман _C(PK)	Pik kollektor oqimi	t _P= 1 ms	4800	A
P _maksimal	Maks. transistor quvvat yo'qotilishi	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
Ман ²t	Diod I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Visol	Izolyatsiya qisqich – moduliga ko‘ra	( Asosiy plitkaga umumiy terminallar), AC RMS, 1 daqiqa, 50Hz, T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Qismiy ishlatish – moduliga ko‘ra	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50HzRMS	10	pC

Termal va Mexanik Ma'lumotlar

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Max.	Qiymat		Бирлик
R _{th(J-C) IGBT}	Termik muqavimat – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diod}	Termik muqavimat – Diod			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Termik muqavimat – korpusdan issiqlik chiqaruvchiga (IGBT)	O'rnatish momenti 5Nm, o'rnatish moyi bilan 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Ishlanish boʻgʻinlari harorati			Diod	-40	150	°C
M	Vint momenti	O'rnatish – M6		5	nm
				Электрик уламлар –M4		2	nm
				Электрик уламлар –M8		10	nm

Elektr xususiyatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
Ман _CES	Kollektorni to'xtatish joriy	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=125 °C			40	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			60	mA
Ман _GES	Darvoza oqimi	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{ЖЕ (ТН)}	Darvoza threshold kuchlanishi	Ман _C= 40мА, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{СЕ (сат)}	Kollektsioner-Emitter To'yingan Kuchlanishi	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
Ман _F	Diodning oldinga oqimi	DC		2400		A
Ман _FRM	Diodning yuqori oqimi oldinga	t _P= 1ms		4800		A
V _F	Diodning oldinga kuchlanishi	Ман _F= 250A, V _GE= 0		1.65		V
				Ман _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				Ман _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
Ман _SC	Qisqa uzilish oqimi	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(max)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
Cies	Kirish sig'imi	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		400		nF
Qg	Darvoza zaryadi	±15		19		μC
Cres	Teskari o'tkazish sig'imi	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Modulning induktansiyasi			10		nH
R _INT	Ichki tranzistor qarshiligi			110		mΩ

T shartnomalar = 25°C bundan boshqa ko'rsatilmagan bo'lsa

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min

Typ

Maksimal

Бирлик

t _d(off)

O'chirish kechikish vaqti

Ман _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _GE= ±15V
R _G(ON)= 0.5Ω
R _G(OFF)= 0.5Ω

2320

E _O'chirilgan

O'chirish energiya yo'qotilishi

500

t _{d ((on)}

O'chirish kechikish vaqti

1050

E _{Включено}

O'chirish energiya yo'qotilishi

410

Q _rr

Diodning teskari tiklanish zaryadi

Ман _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

Ман _rr

Diodning teskari tiklanish joriy

1000

E _rek

Diodning teskari tiklanish energiyasi

320

T shartnomalar = 150°C bundan boshqa ko'rsatilmagan bo'lsa

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min

Typ

Maksimal

Бирлик

t _d(off)

O'chirish kechikish vaqti

Ман _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V GE = ±15V
R _G(ON)= 0.5Ω
R _G(OFF)= 0.5Ω

2340

E _O'chirilgan

O'chirish energiya yo'qotilishi

1400

t _{d ((on)}

O'chirish kechikish vaqti

450

E _{Включено}

O'chirish energiya yo'qotilishi

820

Q _rr

Diodning teskari tiklanish zaryadi

Ман _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

820

μC

Ман _rr

Diodning teskari tiklanish joriy

1250

E _rek

Diodning teskari tiklanish energiyasi

620

Nega bizni tanlash kerak

1. biz faqat birinchi sinfdagi texnologiyaga ega bo'lgan Xitoy ishlab chiqaruvchilari tomonidan mahsulotlarni tarqatamiz. Bu bizning asosiy o'lchovimiz.
2. Ishlab chiqaruvchilar tanovushini ajratib olishda shiddatli talablarimiz mavjud.
3. Xitoydan mijozlar uchun alternativ yechimlarni taqdim etish imkoniyatiga ega bo'lamiz.
4. Biz mas'uliyatgan jamoa egasiman.

Maxsulot paketlashi