MTx800 MFx800 MT800,Тиристор/Диод модулари,Су суғуртаси

800A,600V ~ 1800V,411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Appurtenance:

Mahsulot haqida maʼlumot:Юклаш

Qisqacha kirish soʻzlari

Tiristor/diod modul e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00A ,Suv bilan sovutish ，tECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

Qisqacha kirish soʻzlari

Tiristor/diod modul e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Suv bilan sovutish ，tECHSEM tomonidan ishlab chiqarilgan.

VRRM,VDRM	Tur va kontur
600V	MT2 davlatning davlat qo'mitasi	MFx800-06-411F3
800V	MT2 davlatning davlat qo'mitasi	MFx800-08-411F3
1000V	MTx800-10-411F3	MFx800-10-411F3
1200V	MTx800-12-411F3	MFx800-12-411F3
1400V	MTx800-14-411F3	MFx800-14-411F3
1600V	MTx800-16-411F3	MFx800-16-411F3
1800V	MTx800-18-411F3	MFx800-18-411F3
1800V	MT821-411F3G

MTx har qanday turdagi MTC, MTA , MTK

MFx har qanday turdagi MFC, Tashqi ishlar vazirligi, MFK

Xususiyatlari

Oddiy qoʻllanmalar

Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( ℃ )	Qiymat			Бирлик
Simvol	XUShMATLAR	Sinov sharoitlari	Tj( ℃ )	Min	TUR	Maksimal	Бирлик
IT(AV)	O'rtacha yoqilgan holatdagi tok	180° yarim sinus to'lqini 50Hz Bir tomonli sovutilgan, THS=55 ℃	125			800	A
IT ((RMS)	RMS ish holatidagi tok		125			1256	A
Idrm Irrm	Takroriy cho'qqi oqim	vDRM va VRRM da	125			45	mA
ITSM	To'lqin yoqilgan holatdagi tok	VR=60%VRRM,t= 10 ms yarim sinus	125			22.0	kA
I2t	Qayta birikish uchun I2t	VR=60%VRRM,t= 10 ms yarim sinus	125			2420	10³A ²s
VTO	Chiziqli kuchlanishni		125			0.90	V
rt	Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik		125			0.35	mΩ
VTM	Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish	ITM=2400A	25			1.95	V
dv/dt	O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi	Gate manbai 1.5A tr ≤0.5μs Takroriy	125			200	A/μs
IGT	Eshikni ishga tushirish tok	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
Vgt	Eshikni ishga tushirish kuchlanishi			0.8		3.0	V
IH	Ushlab turish toki			10		200	mA
IL	Qayta ushlab turish toki					1000	mA
VGD	Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Termal qarshilik kesishdan qutiga	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.050	℃ /W
Rth(c-h)	Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida	Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan				0.024	℃ /W
VISO	Izolyatsiya kuchlanishi	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
Fm	Terminal ulanish vring (M12)			12		16	N·m
Fm	O'rnatish vring (M8)			10		12	N·m
Tvj	Junction harorati			-40		125	℃
TSTG	Saqlash harorati			-40		125	℃
Wt	Og'irlik				3230		g
Koʻrinish	411F3