MTx500 MFx500 MT500,Thyristor/Diode modullari,Suv sovutish

V RRM v DRM

Turini koʻrsatish Koʻrinish

2000V

MTx500-20-406F3

MFx500-20-406F3

2200V

MTx500-22-406F3

MFx500-22-406F3

2500V

MTx500-25-406F3

MFx500-25-406F3

2500V

MT500-25-406F3G

Simvol

XUShMATLAR

Sinov sharoitlari

Tj( ℃ )

Qiymat

Бирлик

Min

TUR

Maksimal

IT(AV)

O'rtacha yoqilgan holatdagi tok

180。yarim sinus to'lqini 50Hz

Bir tomonli sovutilgan, THS=55 ℃

125

500

A

IT ((RMS)

RMS ish holatidagi tok

785

A

Idrm Irrm

Takroriy cho'qqi oqim

vDRM va VRRM da

125

45

mA

ITSM

To'lqin yoqilgan holatdagi tok

VR=60%VRRM, t=10ms yarim sinus

125

13

kA

I2t

Qayta birikish uchun I2t

125

845

10³A ²s

VTO

Chiziqli kuchlanishni

125

0.87

V

rt

Yoqilgan holatdagi qiyshiq qarshilik

0.60

mΩ

VTM

Eng yuqori yoqilgan holatdagi kuchlanish

ITM=1500A

25

2.15

V

dv/dt

O'chirilgan holat voltajining tanqidiy ko'tarilish tezligi

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

O'rnatilgan holatdagi oqimning o'sishining kritik darajasi

Gate manbai 1.5A

tr ≤0.5μs Takroriy

125

200

A/μs

IGT

Eshikni ishga tushirish tok

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Eshikni ishga tushirish kuchlanishi

0.8

3.0

V

IH

Ushlab turish toki

10

200

mA

IL

Qayta ushlab turish toki

1000

mA

VGD

Ishga tushirilmagan eshik kuchlanishi

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Termal qarshilik kesishdan qutiga

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.085

℃ /W

Rth(c-h)

Qizil qarshilik quti va issiqlik chiqaruvchi o'rtasida

Har bir chip uchun bir tomonlama sovutilgan

0.040

℃ /W

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

Fm

Terminal ulanish vring (M12)

12

14

N·m

O'rnatish momenti (M6)

4.5

6

N·m

Tvj

Junction harorati

-40

125

℃

TSTG

Saqlash harorati

-40

125

℃

Wt

Og'irlik

1580

g

Koʻrinish

406F3