IDG75X12T2, diskret IGBT, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

150

75

A

ISm

Pulsatsiya qilingan Kollektor Jorov t p cheklangan to'g'ri T vjmax

225

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

852

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

75

A

IFm

Pulsatsiya qilingan Kollektor Jorov t p cheklangan to'g'ri T vjmax

225

A

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-55 dan +150 gacha

o C

T S

So'yish harorati,1.6 mm f uchun rom 10 sekundlar

260

o C

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC= 75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.10

IC= 75A,V GE =15V, T vj =175o C

2.20

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=3.00mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

250

μA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

100

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

2.0

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V,f=100kHz, V GE =0V

6.58

nF

Co'qish

Chiqarish quvvati

0.40

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.19

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

0.49

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 75A, R G=4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

ns

t r

O'sish vaqti

135

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

87

ns

t f

Pasayish vaqti

255

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

12.5

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

3.6

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 75A, R G=4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

ns

t r

O'sish vaqti

140

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

164

ns

t f

Pasayish vaqti

354

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

17.6

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

6.3

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C= 75A, R G=4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

ns

t r

O'sish vaqti

140

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

167

ns

t f

Pasayish vaqti

372

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

18.7

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

6.7

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

300

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

IF = 75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.75

IF = 75A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Diod orqaga Qayta tiklash vaqti

V R = 600V,I F = 75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

ns

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

4.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

22

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

1.1

mJ

trr

Diod orqaga Qayta tiklash vaqti

V R = 600V,I F = 75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

ns

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

9.80

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

33

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

2.7

mJ

trr

Diod orqaga Qayta tiklash vaqti

V R = 600V,I F = 75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

ns

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

11.2

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

35

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

3.1

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.176 0.371

K/W

R tJA

O'zaro bog'lanish

40

K/W