GD950HTX75P6H

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,ishlab chiqarilgan STARPOWER . 950V 750A. Oʻrtacha

Xususiyatlari

Past VCE (sat) trench IGBT texnologiyasi
Pastki o'zgarish yo'qotishlari
6μs qisqa uzilish qobiliyati
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Eng yuqori bog'lanish harorati 175oC
Past induktivlik bilan qoplangan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
Изоляция DBC технологиясида фойдаланган куприй пинфин асоси

Oddiy qoʻllanmalar

Avtomobil sanoatida qo'llanmalar
Gibrid va elektr transport vositalari
Motorli harakatlantiruvchi inverter

Absolyut Maksimal Baholashlar T F =25 o C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	Бирлик
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	750	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман CN	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	950	A
Ман C	Kollektor oqimi @ T F =75 o C	450	A
Ман M	Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms	1900	A
P D	Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 o C T vj = 175 o C	877	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	Бирлик
V RRM	Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi	750	V
Ман ФН	Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent	950	A
Ман F	Diod Davomiy Oldinga Cu rrent	450	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms	1900	A

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymat	Бирлик
T vjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	o C
T vjop	Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz Davri ichida 10 sekundga to'g'ri 30 sekundda yuzaga chiqishi hayot davomida eng ko'p 3000 marta	-40 dan +150 gacha +150 dan +175 gacha	o C
T STG	Saqlash temperaturasi diapazoni	-40 dan +125 gacha	o C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T F =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 450A,V GE =15V, T vj =25 o C		1.35	1.60	V
		Ман C = 450A,V GE =15V, T vj = 150 o C		1.60
		Ман C = 450A,V GE =15V, T vj = 175 o C		1.65
		Ман C =950A,V GE =15V, T vj =25 o C		1.75
		Ман C =950A,V GE =15V, T vj = 175 o C		2.35
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C	4.9	5.8	6.5	V
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi Voltaj	Ман C =9.60 mA ,V CE = V GE , T vj = 175 o C		4.1
Ман CES	Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi			0.7		ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		69.1		nF
C o'qish	Chiqarish quvvati			2.31		nF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			1.05		nF
Q G	Darvoza zaryadi	V CE =400V,I C = 450A, V GE =-8... +15V		3.29		μC
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R G = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T vj =25 o C		191		ns
t r	O'sish vaqti			83		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			543		ns
t f	Pasayish vaqti			158		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			16.8		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			20.5		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R G = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T vj = 150 o C		207		ns
t r	O'sish vaqti			96		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			594		ns
t f	Pasayish vaqti			190		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			22.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			24.5		mJ
t d (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC =400V,I C = 450A, R G = 2,4Ω, V GE =-8V/+15V, L S =24nH, T vj = 175 o C		208		ns
t r	O'sish vaqti			103		ns
t d(off)	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			613		ns
t f	Pasayish vaqti			190		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			26.7		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			26.9		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	t P ≤6μs,V GE =15V,		4800		A
		T vj =25 o C,V CC =400V, V MET ≤750V

Diod Xususiyatlari T F =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
V F	Oldinga chiquvchi diod Voltaj	Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 2 5o C		1.40	1.65	V
		Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.35
		Ман F = 450A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.30
		Ман F =950A,V GE =0V,T vj = 2 5o C		1.75
		Ман F =950A,V GE =0V,T vj = 175 o C		1.75
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T vj =25 o C		16.4		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			222		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			4.50		mJ
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di⁄dt=4810A⁄μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T vj = 150 o C		32.2		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			283		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			8.19		mJ
Q r	Qaytarib olinadigan to'lov	V R =400V,I F = 450A, -di⁄dt=4630A⁄μs,V GE = 8V L S = 24 nH ,T vj = 175 o C		36.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			292		A
E rek	Qayta tiklanish Energiya			9.03		mJ

NTC Xususiyatlari T F =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
R 25	Reyting qarshiligi			5.0		kΩ
∆R/R	Og'ish из R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Quvvat Bo'shilish				20.0	mW
B 25/50	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-qiymat	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Xususiyatlari T F =25 o C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	Бирлик
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi		8		nH
R CC+EE	Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha		0.75		mΩ
△ p	△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C		64		mbar
p	Sovutish davridagi maksimal bosim cuit T asos <40 o C T asos >40 o C (nisbiy bosim)			2.5 2.0	bar
R thJF	Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (D bo'yicha yod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C		0.098 0.140	0.114 0.160	K/W
M	Terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch Burg'u M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Og'irlik из Modul		750		g