GD75PFX170C6SG,IGBT Moduli,STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p = 1 ms

150

A

PD

Maksimal quvvat vj =175o C

559

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1700

V

IF

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

75

A

IFm

Diode maksimal oldinga oqim t p = 1 ms

150

A

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

2000

V

IO

O'rta chiqish to'kchasi 5 0Hz/60Hz, sinusoidal dalona

75

A

IFSM

Oldinga surish joriy t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

1440

1206

A

I2t

I2t-qiymati,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

10368

7272

A2s

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

T vjmax

Maksimal qo'shma temperaturasi (invertor) Maksimal qo'shma temperaturasi (pretseptor)

175

150

o C

T vjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

o C

T STG

Saqlash temperaturasi diapazoni

-40 dan +125 gacha

o C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC= 75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC= 75A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC= 75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=3.0mA ,V Ce =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

8.5

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.22

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15 …+15V

0.71

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, LS =46nH ,T vj =25o C

236

ns

t r

O'sish vaqti

42

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

356

ns

t f

Pasayish vaqti

363

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

17.3

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

11.7

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, LS =46nH ,T vj =125o C

252

ns

t r

O'sish vaqti

48

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

420

ns

t f

Pasayish vaqti

485

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

27.1

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

16.6

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, LS =46nH ,T vj =150o C

275

ns

t r

O'sish vaqti

50

ns

t d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

432

ns

t f

Pasayish vaqti

524

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

27.9

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

17.7

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V MET ≤ 1700V

300

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IF = 75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF = 75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di⁄dt=1290A⁄μs,V GE = 15V LS =46nH ,T vj =25o C

10.3

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

84

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

7.44

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di⁄dt=1100A⁄μs,V GE =-15V LS =46nH ,T vj =125o C

20.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

87

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

16.1

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 900V,I F = 75A,

-di/dt=1060A/μs,V GE = 15V LS =46nH ,T vj =150o C

22.5

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

97

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

19.2

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod Voltaj

IC= 75A, T vj =150o C

0.95

V

IR

Aylana toki

T vj =150o C,V R =2000V

3.0

mA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish ning R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R tJC

Junction -gacha -Holat (perIGBT -inverter ) Junction-to-Case (DIODE-inverter uchun ter) Junction-to-Case (har bir Diode-rectif ier)

0.268 0.481 0.289

K/W

R tCH

Holat -gacha -Issiqlik sinki (perIGBT -inverter )Case-to-Heatsink (har bir Diode-i nverter) Case-to-Heatsink (har bir Diode-re ctifier) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

D

Montaj vringli kuch Varaq:M5

3.0

6.0

N.M

G

Vazn ning Modul

300

g