DG25X12T2, diskret IGBT, STARPOWER

Simvol

TA'RIF

Qiymat

Бирлик

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

Kollektor oqimi @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

ISm

Pulsli kollektor oqimi t p t tomonidan cheklangan jmax

100

A

PD

Maksimal quvvat j =175o C

573

W

Simvol

TA'RIF

Qiymatlari

Бирлик

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +175 gacha

o C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-55 dan +150 gacha

o C

T S

Soldering Temperature,1.6mm fro m case for 10 sekundlar

260

o C

D

Montaj vringli kuch Screw M3

0.6

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=25A, V GE =15V,

T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=25A, V GE =15V,

T j =125o C

1.95

IC=25A, V GE =15V,

T j =150o C

2.00

V GE (th)

Darvoza emittorining chegarasi Voltaj

IC=0.63mA ,V Ce =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kollektor Кесиш -O'chirilgan

Jorov

V Ce =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE =V GES ,V Ce =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0

ω

Cies

Kirish sig'imi

V Ce =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

2.59

nF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.07

nF

QG

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

0.19

μC

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=25A, R G=20Ω,V GE =±15V, T j =25o C

28

ns

t r

O'sish vaqti

17

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

196

ns

t f

Pasayish vaqti

185

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

1.71

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

1.49

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=25A, R G=20Ω,V GE =±15V, T j =125o C

28

ns

t r

O'sish vaqti

21

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

288

ns

t f

Pasayish vaqti

216

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

2.57

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

2.21

mJ

t d (yoqilgan )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C=25A, R G=20Ω,V GE =±15V, T j =150o C

28

ns

t r

O'sish vaqti

22

ns

t d (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

309

ns

t f

Pasayish vaqti

227

ns

Eyoqilgan

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

2.78

mJ

Eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

2.42

mJ

ISC

SC ma'lumotlari

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

100

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

V F

Oldinga chiquvchi diod

Voltaj

IF =25A,V GE =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

IF =25A,V GE =0V,T j = 125o C

2.30

IF =25A,V GE =0V,T j = 150o C

2.25

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j =25o C

1.43

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

34

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

0.75

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j = 125o C

2.4

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

42

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

1.61

mJ

Qr

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V T j = 150o C

2.6

μC

IRM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

44

A

Erek

Qayta tiklanish Energiya

2.10

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

Бирлик

R tJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.262

0.495

K/W

R tJA

O'zaro bog'lanish

40

K/W