Модуль IGBT, YMIF1200-45,Одиночний перемикач IGBT,CRRC

ВСЕ

4500

В

ВЦЕ (Сітат)

(тип)

2.30

В

IC

(Максимально)

1200

A

ICRM)

(Максимально)

2400

A

符号
(Сімвол)

参数名称
(Параметр)

тестові умови
(Умови випробування)

数值
(значення)

单 位
(одиниця)

ВСЕ

集电极 -напруга емітера
Напруження колектора-еміттера

VGE=0В, Tvj=25℃

4500

В

VGES

затвор -напруга емітера
Напруження шлюзового випромінювача

±20

В

IC

集电极电流
Напруження колектора-еміттера

Tvj=125℃, Tcase=85℃

1200

A

IC(PK)

集电极峰值电流 集电极峰值电流 集电极峰值 集电极峰值 集电极峰值 集电流
Піковий струм колектора

1 мс

2400

A

Pmax

максимальні втрати в транзисторі

Макс. потужність розсіювання транзистора

Tvj=125℃, Tcase=25℃

12.5

кВт

I²t

діод ²t значення
Диод I2t

VR=0В, tp=10мс, Tvj=125℃

530

kA²s

Висоль

绝缘电压 (模块 )

Напруга ізоляції на модуль

短接 всі кінцеві, кінцеві і кїблоки між додатковим напругою
(Спільні термінали з базовою плитою),
AC RMS, 1 хв, 50Гц

10200

В

QPD

局部放电电荷 局部放电电荷 局部 відвантаження електроенергії (模块 )
Частковий розряд на модуль

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

пК

爬电距离

Відстань від потік

56мм

ізоляційний зазор

Кліренс

26мм

індекс стійкості до витоку електрики

CTI (Критичний індекс трекінгу)

600

Термальні та механічні дані

符号
(Сімвол)

参数名称
(Параметр)

тестові умови
(Умови випробування)

最小
(Мін)

максимальна
(Максимально)

单 位
(одиниця)

Rh(J-C)IGBT

GBT 结热阻

Термальний опір - IGBT

постійні втрати в з'єднанні
Безперервне розсіювання - з'єднання до корпусу

8

К/кВт

Rh(J-C)Діод

термальний опір діода
Термальний опір - діод

постійні втрати в з'єднанні
Безперервне розсіювання - з'єднання до корпусу

16

К/кВт

Rt(C-H)

接触热阻 (模块 )
Теплова стійкість...
корпус до радіатора (на модуль)

5Нм( термопаста 1Вт/м · ℃)
Крутний момент монтажу 5Нм
(з монтажною змазкою 1Вт/м · ℃)

6

К/кВт

Tv

结温 Температура перетину

IGBT частина (IGBT)

125

℃

частина діода (Діод)

125

℃

ТСТГ

температура зберігання Діапазон температур зберігання

-40

125

℃

М

Крутний момент гвинта

для монтажного закріплення -M6 Монтаж -M6

5

Нм

для електричних з'єднань -M4
Електричні з'єднання -M4

2

Нм

для електричних з'єднань -M8
Електричні з'єднання -M8

10

Нм

Tcase=25℃ якщо не вказано інше

符号
(Сімвол)

参数名称
(Параметр)

条件
(Умови випробування)

最 小
(Мін)

典型
(тип)

最 大
(Максимально)

одиниця
(одиниця)

ICES

集电极截止电流 集电极截止电流 集电极 截止电流 集电极 截止电流 集电极 截止电流 集电极 截止电流
Ограничений струм колектора

VGE=0В,VcE=VCES

1

mA

VGE=0В,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

mA

IGES

极漏电流
Течія витоку через шлюзи

VGE=±20В,VcE=0В

1

μA

VGE (і)

затвор -напруга порогу емітера
Порожнє напруження шлюзу

Ic=120мА,VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

В

VCE(sa)

集电极 -напруга насичення емітера
Насичення колектора-емітера
напруга

VGE=15В,Ic=1200А

2.3

2.8

В

VGE=15В,Ic=1200А,Tvj=125°C

3.0

3.5

В

IF

прямий постійний струм діода
Диодний поток вперед

DC

1200

A

МРПМ

прямий повторювальний піковий струм діода
Максимальний прямий струм діода

tp=1 мс

2400

A

vF(1

прямий напруги діода
Диодний напрям вперед

/F=1200А

2.4

2.9

В

/F=1200А,Tvj=125°C

2.7

3.2

В

Ці

Вхідна емкості

VcE=25В,VGE=0В,f=1МГц

135

нФ

Q₉

极电荷
Зарахування за ворота

±15В

11.9

мК

Крес

обертонаправлена електропередача
Обертальна передача емкості

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

нФ

LM

індуктивність модуля
Індуктивність модуля

10

nH

РІНТ

внутрішній опір
Внутрішній опір транзистора

90

μΩ

Isc

коротке замикання
Короткочасний струм,Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400В,
VGE≤15В,tp≤10мкс,
VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt,

IEC 60747-9

5300

A

td(of)

关断延迟时间
Час затримки вимикання

Ic=1200А
VcE=2800V
Cge=220nF

Л ～ 180нГн
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RG(OFF)=2.7Ω

2700

n

tF

下降时间
Час осені

700

n

Еоф

втрати при вимкненні
Втрати енергії при вимкненні

5800

mJ

tdon)

开通延迟时间
Час затримки включення

720

n

т

上升时间
Час підйому

270

n

ЕОН

втрати при відкритті
Втрата енергії при включенні

3200

mJ

Qm

зворотний відновлювальний заряд діода
Заряд реверсу рекуперації диодів

/F=1200А
VcE = 2800V
dip/dt =5000А/мкс

1200

мК

Я

зворотний відновлювальний струм діода
Обертаний ток відновлення диоди

1350

A

Ерек

втрати зворотного відновлення діода
Енергія відходу від диоди

1750

mJ

td(of)

关断延迟时间
Час затримки вимикання

Ic=1200А
VcE = 2800V
Cge=220nF
Л ～ 180нГн
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RGOFF)=2.7Ω

2650

n

tF

下降时间
Час осені

720

n

Еоф

втрати при вимкненні
Втрати енергії при вимкненні

6250

mJ

tdon)

开通延迟时间
Час затримки включення

740

n

т

上升时间
Час підйому

290

n

ЕОН

втрати при відкритті
Втрата енергії при включенні

4560

mJ

Q

зворотний відновлювальний заряд діода
Заряд реверсу рекуперації диодів

/F=1200А
VcE=2800V
dip/dt =5000А/мкс

1980

мК

Я

зворотний відновлювальний струм діода
Обертаний ток відновлення диоди

1720

A

Ерек

втрати зворотного відновлення діода
Енергія відходу від диоди

3250

mJ