Modul IGBT,YMIF1200-45,Çelës i vetëm IGBT,CRRC

VCES

4500

V

VCE(sat)

(Typ)

2.30

V

IC

(Max)

1200

A

ICRM)

(Max)

2400

A

符号
(Simboli)

参数名称
(Parametri)

条件 test
(Kushtet e Testit)

numri i vlerës
(vlera)

单 位
(Njësia)

VCES

集电极 -tensioni i emetimit
Tensioni kolektor-emitor

VGE=OV, Tvj=25℃

4500

V

VGES

grila -tensioni i emetimit
Tensioni i portës-emitësit

±20

V

IC

集电极电流
Tensioni kolektor-emitor

Tvj=125℃, Tcase=85℃

1200

A

IC(PK)

rryma e kulmit të kolektorit
Rryma maksimale e kolektorit

dioda maksimumi përpara

2400

A

Pmax

humbja maksimale e transistorit

Max. humbja e energjisë së transistorit

Tvj=125℃, Tcase=25℃

12.5

kW

I²t

2 tub ²t 值
Diode I²t

VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃

530

kA²s

Visol

绝缘电压 (模块 )

Tensioni i izolimit - për modul

短接 të gjitha terminalët, terminalët dhe bazët e tensionit
(Terminalet e zakonshme në bazën e pllakës),
AC RMS, 1 min, 50Hz

10200

V

QPD

局部放电电荷 (模块 )
Shkarkimi i pjesshëm - për modul

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

distanca e ngjitjes

Distanca e kalimit

56mm

hapësira e izolimit

Klarenca

26mm

indeksi i qëndrueshmërisë ndaj shkarkimit të rrjedhshëm

CTI (Indeksi Kritikal i Ndjekjes)

600

Të dhënat termike dhe mekanike

符号
(Simboli)

参数名称
(Parametri)

条件 test
(Kushtet e Testit)

minimal
(Min)

maksimal
(Max)

单 位
(Njësia)

Rh(J-C)IGBT

GBT rezistenca termike e lidhjes

Rezistenca termike - IGBT

humbja e energjisë së qëndrueshme
Humbja e vazhdueshme - nyja në rast

8

K/kW

Rh(J-C)Diode

rezistenca termike e nyjës së diodës
Rezistenca termike - diodë

humbja e energjisë së qëndrueshme
Humbja e vazhdueshme - nyja në rast

16

K/kW

Rt(C-H)

rezistenca termike e kontaktit (模块 )
Rezistenca termike-
rast për heatsink (për modul)

moment i instalimit 5Nm( yndyrë për transferim nxehtësie 1W/m · ℃)
Momenti i montimit 5Nm
(me yndyrë montimi 1W/m · ℃)

6

K/kW

Tv

temperatura e lidhjes Temperatura e lidhjes

IGBT pjesë (IGBT)

125

℃

pjesa e diodës (Diodë)

125

℃

TSTG

temperatura e ruajtjes Varg temperatura e ruajtjes

-40

125

℃

M

moment i instalimit Momenti i vidave

për ngjeshjen e instalimit -M6 Montim -M6

5

Nm

për ndërfaqen e qarkut -M4
Lidhjet elektrike -M4

2

Nm

për ndërfaqen e qarkut -M8
Lidhjet elektrike -M8

10

Nm

Tcase=25℃ përveç nëse është deklaruar ndryshe

符号
(Simboli)

参数名称
(Parametri)

条件
(Kushtet e Testit)

më vogël
(Min)

tipik
(Typ)

më madh
(Max)

单位
(Njësia)

ICES

集电极截止电流
CES

VGE=OV,VcE=VCES

1

= 0V,

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

= 0V,

IGES

栅极漏电流
Rryma e derdhjes së portës

VGE=±20V,VcE=0V

1

= 0V

VGE (th)

grila -tensioni i pragut të emetuesit
(TH)

Ic=120mA,VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集电极 -tensioni i ngopjes së emetuesit
(*1)
tensioni

VGE=15V,Ic=1200A

2.3

2.8

V

VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C

3.0

3.5

V

Nese

rryma e drejtpërdrejtë për diodën
°C

DC

1200

A

IFRM

rryma e përsëritur e pikës së përparme të diodës
Rryma maksimale përpara e diodës

tp=1ms

2400

A

vF(1

tensioni përparës i diodës
1ms

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A,Tvj=125°C

2.7

3.2

V

Cies

kapaciteti i hyrjes
Ies

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

mHz

Q₉

ngarkesa e grilës
NF

ngarkesa e portës

11.9

±15V

Cres

kapaciteti i transmetimit të kundërt
Kapaciteti i transferit të kundërt

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

mHz

LM

induktanca e modulit
Induktiviteti i modulit

10

nH

RINT

rezistenca e brendshme
Rezistenca e transistorit të brendshëm

90

μΩ

ISC

rryma e shkurtër
Rryma e shkurtër, Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400V,
VGE≤15V,tp≤10μs,
VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt,

IEC 60747-9

5300

A

td(of)

koha e vonesës së fikjes
Koha e vonesës së fikjes

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L ～180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RG(OFF)=2.7Ω

2700

ns

tf

koha e rënies
Koha e rënies

700

ns

Eof

humbja e fikjes
Humbja e energjisë gjatë fikjes

5800

mJ

tdon)

koha e vonesës së aktivizimit
Koha e vonesës së ndezjes

720

ns

t

koha e ngritjes
Koha e ngritjes

270

ns

EON

humbja e hapjes
Humbja e energjisë gjatë ndezjes

3200

mJ

Qm

ngarkesa e rikthimit të diodës
Ngarkesa e rikuperimit të kundërt të diodës

/F=1200A
VcE =2800V
dip/dt =5000A/us

1200

±15V

Unë

rryma e rikthimit të diodës
Rryma e rikuperimit të kundërt të diodës

1350

A

Erec

humbja e rikthimit të diodës
Energjia e rikuperimit të kundërt të diodës

1750

mJ

td(of)

koha e vonesës së fikjes
Koha e vonesës së fikjes

Ic=1200A
VcE =2800V
Cge=220nF
L ～180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RGOFF)=2.7Ω

2650

ns

tf

koha e rënies
Koha e rënies

720

ns

Eof

humbja e fikjes
Humbja e energjisë gjatë fikjes

6250

mJ

tdon)

koha e vonesës së aktivizimit
Koha e vonesës së ndezjes

740

ns

t

koha e ngritjes
Koha e ngritjes

290

ns

EON

humbja e hapjes
Humbja e energjisë gjatë ndezjes

4560

mJ

Q

ngarkesa e rikthimit të diodës
Ngarkesa e rikuperimit të kundërt të diodës

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

±15V

Unë

rryma e rikthimit të diodës
Rryma e rikuperimit të kundërt të diodës

1720

A

Erec

humbja e rikthimit të diodës
Energjia e rikuperimit të kundërt të diodës

3250

mJ