Модуль IGBT, GD950HTX75P6HB Starpower

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

750

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

И CN

Использование коллектора Cu ренты

950

А

И C

Коллекторный ток @ T F =90о C

450

А

И См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1900

А

PД

Максимальное распределение мощности ация @ T F =75о C T j =175о C

877

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

750

V

И ФН

Использование коллектора Cu ренты

950

А

И F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

А

И ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1900

А

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

T - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

За 10 секунд в течение периода 30с, возникновение максимум 3000 раз за время жизни

-40 до +150 +150 до +175

о C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

И C=450A,V GE =15В, T j =25о C

1.25

1.50

V

И C=450A,V GE =15В, T j =150о C

1.35

И C=450A,V GE =15В, T j =175о C

1.40

И C=950А,В GE =15В, T j =25о C

1.60

И C=950А,В GE =15В, T j =175о C

2.05

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

И C=9.60mA ,V СЕ =V GE , T j =25о C

5.0

5.7

7.0

V

И C=9.60mA ,V СЕ =V GE , T j =175о C

3.5

И CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25о C

1.0

mA

И ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25о C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =50В, f=100kHz, V GE =0В

42.1

нФ

C- Да.

Выходной объем

1.80

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

1.18

нФ

В Г

Сбор за вход

V СЕ =400В, I C =450A, V GE =-8...+15В

3.01

μC

t д (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=450A, Пруток Г = 2,4Ω, LС =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =25о C

126

nS

t пруток

Время нарастания

62

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

639

nS

t f

Время спада

149

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

17.3

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.4

mJ

t д (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=450A, Пруток Г = 2,4Ω, LС =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =150о C

136

nS

t пруток

Время нарастания

68

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

715

nS

t f

Время спада

221

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

22.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

31.0

mJ

t д (включено )

Время задержки включения

V CC =400В, I C=450A, Пруток Г = 2,4Ω, LС =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =175о C

138

nS

t пруток

Время нарастания

68

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

739

nS

t f

Время спада

227

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

24.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

32.6

mJ

И SC

Данные SC

t P≤6μs,V GE =15В,

5100

А

T j =25о C,V CC =400В, V СМК ≤750В

t P≤3μс,V GE =15В,

T j =175о C,V CC =400В, V СМК ≤750В

3800

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

И F =450A,V GE =0V,T j =25о C

1.40

1.65

V

И F =450A,V GE =0V,T j =150о C

1.35

И F =450A,V GE =0V,T j =175о C

1.30

И F =950А,В GE =0V,T j =25о C

1.75

И F =950А,В GE =0V,T j =175о C

1.75

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=7070A/μс,V GE =-8В LС =24nH ,T j =25о C

16.0

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

254

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

5.03

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=6150A/μс,V GE =-8В LС =24nH ,T j =150о C

36.0

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

320

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

9.49

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =400В, I F =450A,

-di/dt=6010A/μс,V GE =-8В LС =24nH ,T j =175о C

40.5

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

338

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

10.5

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

△p

△V/ △t=10,0 дм 3/мИН ,T F =75о C

64

мбар

p

Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка

T основание <40о C

T основание 40о C

(относительное давление)

2.5 2.0

пруток

Пруток фНП

Переходный пункт —до —Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △V/ △t=10,0 дм 3/мИН ,T F =75о C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

750

г