Управление тепловыделением в компактном модуле IGBT является одной из наиболее критических инженерных задач в современной силовой электронике. По мере роста частот переключения и уменьшения габаритных размеров тепловая нагрузка на единицу площади резко возрастает. Без продуманной...
ПОДРОБНЕЕ
В современной силовой электронике модуль SiC стал ключевым компонентом, повышающим эффективность в промышленных, автомобильных и энергетических приложениях. Технология карбида кремния позволяет обеспечить более высокие частоты переключения, повышенную рабочую температуру...
ПОДРОБНЕЕ
При высокочастотном преобразовании мощности потери в цепи управления затвором представляют собой один из наиболее значительных и зачастую недооцениваемых источников неэффективности в любой схеме на основе MOSFET. По мере того как частоты переключения возрастают до сотен килогерц или даже мегагерц ...
ПОДРОБНЕЕ
Профиль полевого барьера является одной из наиболее значимых структурных переменных при проектировании передовых пластин IGBT. По мере того как силовая электроника продолжает стремиться к более высоким частотам переключения и более жестким тепловым ограничениям, способ, которым инженеры формируют полевой барьер...
ПОДРОБНЕЕ
В силовой электронике высокой мощности модуль IGBT играет центральную роль в точном управлении большими токами и высокими напряжениями. По мере роста частот переключения и плотности мощности даже незначительные значения паразитной индуктивности внутри модуля IGBT...
ПОДРОБНЕЕ
Появление модуля на основе карбида кремния нового поколения принципиально изменило подход инженеров-электронщиков к анализу динамических потерь. В отличие от традиционных приборов на кремниевой основе модуль на основе карбида кремния работает на более высоких частотах переключения и повышенных температурах перехода...
ПОДРОБНЕЕ
Когда MOSFET перегревается, последствия выходят далеко за пределы просто тёплого радиатора. Перегрев является одной из главных причин преждевременного выхода из строя силовой электроники, а в промышленных или высокочастотных коммутационных приложениях единичное тепловое событие может вызвать...
ПОДРОБНЕЕ
В силовой электронике предел производительности любой коммутирующей схемы зачастую определяется не номинальным напряжением или током транзистора, а более тонким и часто недостаточно понимаемым параметром — зарядом затвора. Каждый разработчик, пытавшийся повысить частоту переключения MOSFET...
ПОДРОБНЕЕ
В современной силовой электронике коммутационные потери представляют одну из наиболее стойких проблем, с которыми сталкиваются разработчики схем, инженеры-инверторщики и разработчики силовых модулей. В основе этой проблемы лежит явление, известное как заряд обратного восстановления...
ПОДРОБНЕЕ
Слой полевого ограничителя является одним из наиболее значимых структурных элементов в современном проектировании силовых полупроводниковых приборов, и понимание его профиля имеет ключевое значение для повышения эксплуатационных характеристик любой пластины IGBT, предназначенной для применения в высоковольтных и высокотоковых системах...
ПОДРОБНЕЕ
Заряд затвора — один из наиболее критичных, но при этом часто неправильно понимаемых параметров при выборе MOSFET для применений в силовой электронике. Хотя номинальное напряжение и сопротивление в открытом состоянии обычно доминируют в начальных обсуждениях выбора компонентов, заряд затвора…
ПОДРОБНЕЕ
Схемы с полумостовой топологией являются краеугольным камнем современной силовой электроники и обеспечивают эффективное преобразование энергии в таких областях применения, как приводы двигателей и инверторы для возобновляемых источников энергии. В рамках этих схем взаимодействие между изолирующими...
ПОДРОБНЕЕ
EN