Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница/Продукция/Модуль IGBT/Модуль IGBT 1200V

GD300HFQ120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Модуль IGBT, 1200В 300А, Корпус: C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFQ120C2SD
  • Введение
  • Основные положения
  • Схема эквивалентной цепи
Введение

Краткое описание

Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER .1200V 300А.

Особенности

  • Низкий VCE (спутниковая) Технология IGBT траншей
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительный температура коэффициент
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типовые области применения

  • Питание в режиме переключения
  • Индуктивное нагревание
  • Электрический сварщик

Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C@ T C=95o C

452

300

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

600

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

1724

Ш

Диод

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

600

A

МОДУЛЬ

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

IGBT Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C= 300 А,В GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я C= 300 А,В GE =15В, T vj =125o C

2.25

Я C= 300 А,В GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=7.50mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

31.1

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.87

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

2.33

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C= 300A, Пруток Г =1.6Ом, Ls=45нГ, V GE =±15В,Т vj =25o C

200

nS

t пруток

Время нарастания

47

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

245

nS

t f

Время спада

65

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

20.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.15

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C= 300A, Пруток Г =1.6Ом, Ls=45нГ, V GE =±15В,Т vj =125o C

206

nS

t пруток

Время нарастания

49

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

280

nS

t f

Время спада

94

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

29.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

12.5

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C= 300A, Пруток Г =1.6Ом, Ls=45нГ, V GE =±15В,Т vj =150o C

209

nS

t пруток

Время нарастания

51

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

295

nS

t f

Время спада

105

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

35.1

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

13.6

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

1200

A

Диод Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановлено Зарядка

V Пруток = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=5570A/μс, V GE = 15 В, Лс =45nH ,T vj =25o C

28.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

287

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

8.81

mJ

В. пруток

Восстановлено Зарядка

V Пруток = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 15 В, Лс =45nH ,T vj =125o C

44.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

295

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

14.3

mJ

В. пруток

Восстановлено Зарядка

V Пруток = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE = 15 В, Лс =45nH ,T vj =150o C

50.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

300

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

16.0

mJ

МОДУЛЬ Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт до Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.087 0.153

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031 0.055 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г

Основные положения

image(c3756b8d25).png

Схема эквивалентной цепи

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Связанный продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждёт ваших консультаций.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000