GD200HFX120C2SA_B36, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C=100o C

340

200

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

400

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

1190

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

400

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=200A,В GE =15В, T j =25o C

1.70

2.15

V

Я C=200A,В GE =15В, T j =125o C

1.95

Я C=200A,В GE =15В, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=8.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.75

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

20.7

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

1.55

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г =1. 1Ω, В GE =±15В, T j =25o C

150

nS

t пруток

Время нарастания

32

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

330

nS

t f

Время спада

93

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

9.7

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.3

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г =1. 1Ω, В GE =±15В, T j =125o C

161

nS

t пруток

Время нарастания

37

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

412

nS

t f

Время спада

165

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

20.2

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.0

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г =1. 1Ω, В GE =±15В, T j =150o C

161

nS

t пруток

Время нарастания

43

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

433

nS

t f

Время спада

185

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

22.4

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

19.1

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T j =25o C

2.40

2.90

V

Я F =200A,В GE =0V,T j =125o C

1.95

Я F =200A,В GE =0V,T j =150o C

1.80

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

20.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

160

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

8.0

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В T j =125o C

38.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

201

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

14.2

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15В T j =150o C

44.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

212

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

15.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.126

0.211

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.032

0.053

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г