Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 400А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- Низкие потери при переключении
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Максимальная температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная пинфин-плита с использованием технологии DBC
Типичные применения
- Гибридные и электрические транспортные средства
- Инвертор для привода мотора
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т К =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я CN |
Использование коллектора Cu ренты |
400 |
A |
Я C |
Коллекторный ток @ T К =25 о C @ T К =75 о C |
400
300
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
800 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
1500 |
В |
IGBT
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
В |
Я ФН |
Реализован Forward Cu ренты |
400 |
A |
Я К |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
800 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
В |
IGBT Характеристики Т К =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.50 |
1.95 |
В
|
Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =125 о C |
|
1.60 |
|
Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =150 о C |
|
1.65 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C = 16,0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.3 |
5.8 |
6.3 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
41.4 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.16 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =15В |
|
3.11 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =500В, I C = 300A, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =25 nH ,Т j =25 о C
|
|
223 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
32 |
|
nS |
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
354 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
228 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
6.24 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
20.1 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =500В, I C = 300A, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Ls=25нГ,T j =125 о C
|
|
229 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
36 |
|
nS |
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
411 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
344 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
11.0 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
28.6 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC =500В, I C = 300A, R G =1.5Ω,В GE =±15В, Ls=25нГ,T j =150 о C
|
|
231 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
38 |
|
nS |
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
421 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
352 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
12.2 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
29.7 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤10μs, В GE =15В,
Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В
|
|
1600
|
|
A
|
Диод Характеристики Т К =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В К
|
Диод вперед Напряжение |
Я К = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C |
|
1.35 |
1.80 |
В
|
Я К = 300 А,В GE =0V,T j =1 25о C |
|
1.35 |
|
Я К = 300 А,В GE =0V,T j =1 50о C |
|
1.35 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =500В, I К = 300A,
-di/dt=9700A/мкс,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =25 о C
|
|
32.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
478 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
22.1 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =500В, I К = 300A,
-di/dt=8510A/мкс,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =125 о C
|
|
45.9 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
522 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
32.7 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R =500В, I К = 300A,
-di/dt=8250A/мкс,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =150 о C
|
|
51.5 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
537 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
37.4 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т К =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из R 100 |
Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т К =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
△ p |
Падение давления в системе охлаждения слюнка
△ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ;Т К =25 о C ;Охлаждение Жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль
|
|
100 |
|
мбар |
p |
Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка |
|
|
2.5 |
штанга |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
14 |
|
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.80 |
|
мОм |
R фНП |
Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT ) Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) |
|
|
0.100 0.125 |
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 6.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
1340 |
|
g |
EN
