Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 400А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- Низкие потери при переключении
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Максимальная температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная пинфин-плита с использованием технологии DBC
Типичные применения
- Гибридные и электрические транспортные средства
- Инвертор для привода мотора
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О CN |
Использование коллектора Cu ренты |
400 |
А |
О C |
Коллекторный ток @ T F =25o C @ T F =75o C |
400
300
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
800 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C |
1500 |
Ш |
IGBT
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
О ФН |
Реализован Forward Cu ренты |
400 |
А |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
300 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
800 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T F =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
О C = 300 А,В GE =15В, T j =25o C |
|
1.50 |
1.95 |
V
|
О C = 300 А,В GE =15В, T j =125o C |
|
1.60 |
|
О C = 300 А,В GE =15В, T j =150o C |
|
1.65 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =16.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.3 |
5.8 |
6.3 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
41.4 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.16 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =15В |
|
3.11 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =500В, I C = 300A, Пруток G =1.5Ω,В GE =±15В, Лс =25nH ,T j =25o C
|
|
223 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
32 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
354 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
228 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
6.24 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
20.1 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =500В, I C = 300A, Пруток G =1.5Ω,В GE =±15В, Ls=25нГ,T j =125o C
|
|
229 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
36 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
411 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
344 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
11.0 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
28.6 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =500В, I C = 300A, Пруток G =1.5Ω,В GE =±15В, Ls=25нГ,T j =150o C
|
|
231 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
38 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
421 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
352 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
12.2 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
29.7 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤10μs, V GE =15В,
T j =150o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
1600
|
|
А
|
Диод Характеристики T F =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
О F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C |
|
1.35 |
1.80 |
V
|
О F = 300 А,В GE =0V,T j =125o C |
|
1.35 |
|
О F = 300 А,В GE =0V,T j =150o C |
|
1.35 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =500В, I F = 300A,
-di/dt=9700A/мкс,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =25o C
|
|
32.7 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
478 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
22.1 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =500В, I F = 300A,
-di/dt=8510A/мкс,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =125o C
|
|
45.9 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
522 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
32.7 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =500В, I F = 300A,
-di/dt=8250A/мкс,V GE = 15 В Ls=25нГ,T j =150o C
|
|
51.5 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
537 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
37.4 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T F =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики T F =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
△p |
Падение давления в системе охлаждения слюнка
△V/ △t=10,0 дм 3/мин ;T F =25o C ;Охлаждение Жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль
|
|
100 |
|
мбар |
p |
Максимальное давление в охлаждающей системе слюнка |
|
|
2.5 |
пруток |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
14 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.80 |
|
мОм |
Пруток фНП |
Переходный пункт -к -Охлаждение Жидкость (наIGBT ) Жидкость для слияния и охлаждения (на ди (оде) |
|
|
0.100 0.125 |
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 6.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
1340 |
|
g |
EN
