Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 800А.
Особенности
-
Л низкое VCE(sat) Технология траншейного IGBT
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Подложка Si3N4 для низкого теплового сопротивления
- Изолированная медная плита с использованием технологии Si3N4 AMB
Типичные применения
- Гибридные и электрические транспортные средства
- Инвертор для привода мотора
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =100o C |
800 |
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1600 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C |
5172 |
Ш |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
О F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
800 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1600 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
О C = 800 А,В GE =15В, T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
О C = 800 А,В GE =15В, T j =125o C |
|
2.30 |
|
О C = 800 А,В GE =15В, T j =150o C |
|
2.40 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C =24.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
62.1 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.74 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =-15…+15V |
|
4.66 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =800A, Пруток G =1.0Ω, V GE =±15В, Л S =40nH ,T j =25o C
|
|
266 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
98 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
394 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
201 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
108 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
73.8 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =800A, Пруток G =1.0Ω, V GE =±15В, Л S =40nH ,T j =125o C
|
|
280 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
115 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
435 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
275 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
153 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
91.3 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C =800A, Пруток G =1.0Ω, V GE =±15В, Л S =40nH ,T j =150o C
|
|
282 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
117 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
446 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
290 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение Потеря |
|
165 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
94.4 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤10μs, V GE =15В,
T j =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В
|
|
2400
|
|
А
|
Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
О F = 800 А,В GE =0V,T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
О F = 800 А,В GE =0V,T j =125o C |
|
2.15 |
|
О F = 800 А,В GE =0V,T j =150o C |
|
2.20 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =800A,
-di/dt=5800A/μs,V GE = 15 В, Л S =40nH ,T j =25o C
|
|
48.1 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
264 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
18.0 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =800A,
-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 В, Л S =40nH ,T j =125o C
|
|
95.3 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
291 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
35.3 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC = 600 В,I F =800A,
-di/dt=4550A/μs,V GE = 15 В, Л S =40nH ,T j =150o C
|
|
107 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
293 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
38.5 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C =100 o C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток thJC |
Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде) |
|
|
0.029 0.050 |
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
0.028 0.049 0.009 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
350 |
|
g |
EN
