GD200HFF120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 85 о C

294

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

400

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 о C

1056

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

400

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, Т j =25 о C

1.90

2.35

В

Я C =200A,В GE =15В, Т j = 125о C

2.40

Я C =200A,В GE =15В, Т j =150 о C

2.55

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =5.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

100

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.75

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

20.7

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

1.55

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

374

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

326

nS

т к

Время спада

204

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

13.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

10.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15В, Т j = 125о C

419

nS

т r

Время нарастания

63

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

383

nS

т к

Время спада

218

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

20.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.9

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15В, Т j = 150о C

419

nS

т r

Время нарастания

65

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

388

nS

т к

Время спада

222

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

22.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.9

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =200A,В GE =0V,T j =25 о C

1.90

2.35

В

Я К =200A,В GE =0V,T j = 125о C

1.90

Я К =200A,В GE =0V,T j = 150о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

10.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

90

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

3.40

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В Т j = 125о C

26.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

132

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.75

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15В Т j = 150о C

30.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

142

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.3

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

15

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.25

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.142

0.202

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.034

0.048

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g