GD200CEX120C8SN,Модуль IGBT,STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

363

200

A

Я CRM

Повторяющийся Пик Коллектор Ток tp ограниченный от Т vjop

400

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

1293

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диодная непрерывная прямая токовая способность вход

200

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Ток tp ограниченный от Т vjop

400

A

Символ

Описание

Ценности

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.75

2.20

В

Я C =200A,В GE =15В, Т vj =125 о C

2.00

Я C =200A,В GE =15В, Т vj =150 о C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

18.6

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.52

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

1.40

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50нГ, В GE =±15В, T vj =25 о C

140

nS

т r

Время нарастания

31

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

239

nS

т к

Время спада

188

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

11.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

13.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50нГ, В GE =±15В, T vj =125 о C

146

nS

т r

Время нарастания

36

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

284

nS

т к

Время спада

284

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

19.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

18.9

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50нГ, В GE =±15В, T vj =150 о C

148

nS

т r

Время нарастания

37

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

294

nS

т к

Время спада

303

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

21.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

19.8

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =200A,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К =200A,В GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я К =200A,В GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=5710A/μс, Ls=50нГ, В GE = 15 В, Т vj =25 о C

20.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

220

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=4740A/μс, Ls=50нГ, В GE = 15 В, Т vj =125 о C

34.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

209

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

12.9

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=4400A/μс, Ls=50нГ, В GE = 15 В, Т vj =150 о C

38.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

204

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

14.6

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.116 0.185

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.150 0.239 0.046

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5

2.5 2.5

3.5 3.5

Н.М

G

Вес из Модуль

200

g