Semua Kategori
Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD600HFX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pengenalan ringkas

Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Ciri-ciri

  • Rendah V CE (sat ) Parit IGBT teknologi
  • 10μs keupayaan litar pintas ility
  • V CE (sat ) dengan positif suhu pepejal
  • Maksimum suhu persimpangan 175o C
  • Rendah induktans kes
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti-paralel
  • Papan pangkal tembaga yang terisolasi teknologi HPS DBC

Tipikal Aplikasi

  • Inverter untuk motor d rIV
  • AC dan DC servo pemanduan pemberi kuasa
  • Kuasa yang tidak terputus bekalan

Absolut Maksimum Penilaian T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

925

600

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1200

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

3000

W

Dioda

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

600

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1200

A

Modul

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

IGBT Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=600A,V GE =15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC=600A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.84

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.64

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=600A, R G=1.2Ω,L S =20nH, V GE = ± 15V,T j =25o C

308

n

t r

Masa naik

42

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

431

n

t f

Waktu kejatuhan

268

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

15.7

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

51.3

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=600A, R G=1.2Ω, LS =20nH ,

V GE = ± 15V,T j =125o C

311

n

t r

Masa naik

49

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

467

n

t f

Waktu kejatuhan

351

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

31.1

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

69.4

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=600A, R G=1.2Ω, LS =20nH ,

V GE = ± 15V,T j =150o C

313

n

t r

Masa naik

51

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

475

n

t f

Waktu kejatuhan

365

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

34.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

71.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Dioda Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

38.1

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

524

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

34.9

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V GE=- 15V, T j = 125o C

82.8

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

565

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

54.4

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V GE=- 15V, T j = 150o C

94.7

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

589

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

55.8

mJ

Modul Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.35

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.050

0.080

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Gambaran Ringkas

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Produk Berkaitan

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000