GD200HFQ120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

400

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =175o C

1181

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

200

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

3.8

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.59

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

100

n

t r

Masa naik

72

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

303

n

t f

Waktu kejatuhan

71

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

26.0

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.11

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

99

n

t r

Masa naik

76

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

325

n

t f

Waktu kejatuhan

130

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

33.5

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

8.58

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

98

n

t r

Masa naik

80

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

345

n

t f

Waktu kejatuhan

121

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

36.2

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

9.05

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

96

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

5.66

mJ

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

106

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

8.56

mJ

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

107

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

9.24

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.127 0.163

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g