GD200HFQ120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

324

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =175o C

1181

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Saya C =200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

Saya C =200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

3.8

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.59

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

100

n

t r

Masa naik

72

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

303

n

t f

Waktu kejatuhan

71

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

26.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.11

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

99

n

t r

Masa naik

76

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

325

n

t f

Waktu kejatuhan

130

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

33.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

8.58

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

98

n

t r

Masa naik

80

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

345

n

t f

Waktu kejatuhan

121

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

36.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

9.05

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, L S =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

96

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

5.66

mJ

Q r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, L S =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

106

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

8.56

mJ

Q r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, L S =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

107

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

9.24

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.127 0.163

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g