Semua Kategori
Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Emel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD900HFA120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900HFA120C6S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pengenalan ringkas

Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 900A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • Keupayaan litar pendek
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Maksimum suhu persimpangan 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Tipikal Aplikasi

  • Hibrid dan elektrik v kenderaan
  • Inverter untuk pemacu motor
  • Kuasa yang tidak terganggu r bekalan

Absolut Maksimum Penilaian T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=90o C

900

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1800

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

3409

W

Dioda

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

900

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1800

A

IFSM

Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t-nilai,t p =10ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A2s

Modul

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC=900A,V GE =15V, T j =175o C

1.65

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.36

nF

T G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

13.6

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

330

n

t r

Masa naik

140

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

842

n

t f

Waktu kejatuhan

84

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

144

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

87.8

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

373

n

t r

Masa naik

155

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

915

n

t f

Waktu kejatuhan

135

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

186

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

104

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

390

n

t r

Masa naik

172

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

950

n

t f

Waktu kejatuhan

162

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

209

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

114

mJ

ISC

Data SC

t P≤8μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V GE =15V,

T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Dioda Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V GE =0V,T j =125o C

1.65

IF =900A,V GE =0V,T j =175o C

1.55

T r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =25o C

91.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

441

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

26.3

mJ

T r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =125o C

141

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

493

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

42.5

mJ

T r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =175o C

174

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

536

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

52.4

mJ

NTC Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.80

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.044

0.076

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Emel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Produk Berkaitan

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Emel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
Emel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000