IGBT модулі,YMIF1200-45,Дара ажыратқыш IGBT,CRRC

ККЕЖ

4500

V

VCE (sat)

(тип)

2.30

V

IC

(макс.)

1200

А

ICRM)

(макс.)

2400

А

符号
(Сынып)

параметр атауы
(Параметр)

тестілеу шарттары
(сынау шарттары)

мән
(мәні)

单 位
(бұлақ)

ККЕЖ

集电极 -электрлік қуаттылық
Жинағыш-эмиттер кернеуі

VGE=OV,Tvj=25°C

4500

V

VGES

极 -электрлік қуаттылық
Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

集电极电流 (Қосымша)
Жинағыш-эмиттер кернеуі

Tvj=125°C,Tcase=85°C

1200

А

IC(PK)

集电极峰值电流
Жинақтың ең жоғары тогы

1 мс

2400

А

Pmax

晶体管部分最大损耗

Транзистордың қуаттылық шашырауы

Tvj=125°C,Tcase=25°C

12.5

кВт

I2t

二极管 2т мән
Диод I²t

VR=0В,tp=10ms,Tvj=125°C

530

kA2s

Визоль

绝缘 электр қысымы (модуль )

Модуль бойынша оқшаулау кернеуі

барлық терминалдарды қысқа тұйықтау, терминал мен негіз тақтасы арасында кернеу қолдану
(Базалық тақтаға ортақ терминалдар),
АЖ РМС,1 мин,50 Гц

10200

V

QPD

жергілікті разряд заряды (модуль )
Модуль бойынша ішінара босату

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

пК

жылжу қашықтығы

Крейппеж қашықтығы

56мм

绝缘间隙 (жарық аралық)

Рұқсат беру

26мм

лық сынамаға төзімділік

CTI ((Критикалық ізденіс индексі))

600

Жылу және механикалық деректер

符号
(Сынып)

параметр атауы
(Параметр)

тестілеу шарттары
(сынау шарттары)

минимум
(Мин)

максимум
(макс.)

单 位
(бұлақ)

Рх ((Ж-С) IGBT

GBT бөлшек термиялық кедергі

Жылу кедергісі-IGBT

结 тұрақты қуат тұтыну
Үнемі шашырату-қапшыққа қосылу

8

K/kW

Rh ((J-C) диоды

二极管结热阻
Жылу кедергісі диоды

结 тұрақты қуат тұтыну
Тұрақты шашырау - корпусқа қосылу

16

K/kW

Рт(С-Х)

байланыс термиялық кедергі (модуль )
Жылу кедергісі-
корпус пен жылу сорғышы (модуль бойынша)

орнату күші 5 Нм (( 导热脂 1 Вт/м · °С)
Маусымдалу моменті 5Nm
(монтаж маймен 1W/м · °C)

6

K/kW

Телевизор

结温 Байланыс температурасы

IGBT 部分 (IGBT)

125

℃

二极管部分 (диод)

125

℃

ТСТГ

储存温度 Сақтау температурасы

-40

125

℃

М

орнату күші Шрубтің қозғалыс моменті

қатты бекіту -M6 Монументті орнату -M6

5

Нм

электр желісімен байланыс - М4
Электрлік қосылымдар -M4

2

Нм

электр желісімен байланыс - М8
Электрлік қосылымдар -M8

10

Нм

Егер басқаша көрсетілмесе, Tcase=25°C

符号
(Сынып)

параметр атауы
(Параметр)

条件
(сынау шарттары)

ең кіші
(Мин)

типтік
(тип)

ең үлкен
(макс.)

бірлік
(бұлақ)

ICES

集电极截止电流 集电极截止电流 集电极 截止电流 топтастырылған электр тогы
Коллектордың тоқтату ағымы

VGE=OV,VcE=VCES

1

mА

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

mА

ИГЭС

极漏电流
Қақпаның ағып кету тогы

VGE=±20В,VcE=0В

1

μA

VGE (th)

极 -发射极值电压
Қақпаның шекті кернеуі

Ic=120mA, VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集电极 -射极和电压
Коллектор-эмиттер қанықтыру
кернеу

VGE=15В,Ic=1200А

2.3

2.8

V

VGE=15В,Ic=1200A,Tvj=125°C

3.0

3.5

V

IF

二极管 тура ағып тұрған электр ағыны
Диоданың алға ағымы

Тұрақты тағам

1200

А

МКБЖ

二极管正向重复峰值电流
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы

tp=1ms

2400

А

vF(1

二极管 тура бағыттағы электр қысымы
Диоданың алға кернеуі

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A,Tvj=125°C

2.7

3.2

V

Қалғандары

输入电容
Кіріс сыйымдылығы

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

нФ

Q9

极电荷
Қақпалық төлем

±15V

11.9

μC

Крес

кері бағыттағы электр беріліс қуаты
Кері байланыс сыйымдылығы

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

нФ

ЛМ

模块 электр сезгіштігі
Модуль индуктивтілігі

10

nH

RINT

ішкі кедергі
Ішкі транзистор кедергісі

90

μΩ

ISC

短路电流
Қысқа тұйық ток, Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400V,
VGE≤15V,tp≤10μs,
VCE ((max) = VCEs-L ((2×di/dt),

IEC 60747-9

5300

А

тд (ден)

关断延迟时间
Сөндіру кешігу уақыты

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L ～ 180nH
VGE=±15V
RG ((ON) = 1,5Ω
RG ((OFF) = 2,7Ω

2700

н

tf

төмендеу уақыты
Күз мезгілі

700

н

Еоф

өшіру шығыны
Өшіру энергиясының жоғалуы

5800

мЖ

tdon)

开通延迟时间
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

720

н

t

көтерілу уақыты
Күтерілу уақыты

270

н

Эон

开通损耗
Қосу энергиясының жоғалуы

3200

мЖ

Qm

二极管 кері қайтару электр жүктемесі
Диодтың кері қалпына келу заряды

/F=1200A
VcE =2800V
dip/dt =5000A/us

1200

μC

I

二极管 кері қайтару электр тогы
Диодтың кері қалпына келу тогы

1350

А

Ерек

二极管 кері қалпына келтіру шығыны
Диодтың кері қалпына келу энергиясы

1750

мЖ

тд (ден)

关断延迟时间
Сөндіру кешігу уақыты

Ic=1200A
VcE =2800V
Cge=220nF
L ～ 180nH
VGE=±15V
RG ((ON) = 1,5Ω
RGOFF) = 2,7Ω

2650

н

tf

төмендеу уақыты
Күз мезгілі

720

н

Еоф

өшіру шығыны
Өшіру энергиясының жоғалуы

6250

мЖ

tdon)

开通延迟时间
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

740

н

t

көтерілу уақыты
Күтерілу уақыты

290

н

Эон

开通损耗
Қосу энергиясының жоғалуы

4560

мЖ

Q

二极管 кері қайтару электр жүктемесі
Диодтың кері қалпына келу заряды

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

μC

I

二极管 кері қайтару электр тогы
Диодтың кері қалпына келу тогы

1720

А

Ерек

二极管 кері қалпына келтіру шығыны
Диодтың кері қалпына келу энергиясы

3250

мЖ