IGBT მოდული,YMIF1200-45,ერთმაგი გადართვის IGBT,CRRC

VCES

4500

V

VCE (სატ)

(ტიპი)

2.30

V

IC

(მაქსიმუმი)

1200

Ა

ICRM)

(მაქსიმუმი)

2400

Ა

სიმბოლო
(სიმბოლო)

参数名称
(პარამეტრი)

ტესტ-თეორიები
(ტესტირების პირობები)

რიცხვური მნიშვნელობა
(მნიშვნელობა)

ერთეული მდე
(ერთეული)

VCES

集电极 -გამტარი ძაბვა
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VGE=OV, Tvj=25℃

4500

V

VGES

极 -გამტარი ძაბვა
Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

კოლექტორის დენი
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

Tvj=125℃, Tcase=85℃

1200

Ა

IC ((PK)

集电极峰值电流
Პიკის კოლექტორის მიმდინარე

1ms

2400

Ა

Pmax

ტრანზისტორის ნაწილში მაქსიმალური დაკარგვა

Მაქს. ტრანზისტორის ენერგიის დაკარგვა

Tvj=125℃, Tcase=25℃

12.5

კვ

I²t

დიოდი ²t 值
Დიოდი I²t

VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃

530

kA²s

Visol

იზოლაციის ძაბვა (模块 )

Იზოლაციის ძაბვა - თითო მოდულზე

ოლქსჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკჟკ
(ბაზის ფირფიტასთან საერთო ტერმინალები),
AC RMS, 1 წუთი, 50Hz

10200

V

QPD

局部放电电荷 ოლაკტერიკოსი (模块 )
Ნაწილობრივი გაწვდვა - თითო მოდულზე

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

ასვლის დისტანცია

Სრიალების მანძილი

56მმ

იზოლაციის间隙

Სუფთა სივრცე

26მმ

გაჟონვის წინააღმდეგობის ინდექსი

CTI (კრიტიკული ტრეკინგის ინდექსი)

600

Თერმული და მექანიკური მონაცემები

სიმბოლო
(სიმბოლო)

参数名称
(პარამეტრი)

ტესტ-თეორიები
(ტესტირების პირობები)

მინიმალური
(Min)

მაქსიმალური
(მაქსიმუმი)

ერთეული მდე
(ერთეული)

Rh(J-C) IGBT

GBT 结壳热阻

Თერმული წინააღმდეგობა - IGBT

结壳恒定功耗
Უწყვეტი დაკარგვა - ჯუნქცია კორპუსამდე

8

K/kW

Rh(J-C) დიოდი

დიოდის结壳热阻
Თერმული წინააღმდეგობა - დიოდი

结壳恒定功耗
Უწყვეტი დაკარგვა - ჯუნქცია კორპუსამდე

16

K/kW

Rt(C-H)

კონტაქტური თერმული წინააღმდეგობა (模块 )
Თერმული წინააღმდეგობა-
კორპუსი სითბოს გამაცხელებელთან (თითო მოდულზე)

მონტაჟის მომენტი 5Nm( თერმული ზეთი 1W/m · ℃)
Მონტაჟის მომენტი 5Nm
(მონტაჟის ზეთით 1W/m · ℃)

6

K/kW

Tv

კავშირი Ჯუნქციის ტემპერატურა

IGBT ნაწილი (IGBT)

125

°C

დიოდის ნაწილი (Diode)

125

°C

TSTG

ოვაციური ტემპერატურა Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40

125

°C

M

მონტაჟის მომენტი Შრიფტის ბრუნვის მომენტი

მონტაჟისთვის -M6 მონტაჟი -M6

5

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის -M4
Ელექტრული კავშირები -M4

2

Nm

სქემური ურთიერთკავშირისთვის -M8
Ელექტრული კავშირები -M8

10

Nm

Tcase=25℃ თუ არ არის მითითებული სხვაგვარად

სიმბოლო
(სიმბოლო)

参数名称
(პარამეტრი)

პარამეტრები
(ტესტირების პირობები)

მაქსიმალური მინიმალური
(Min)

ტიპიური
(ტიპი)

მაქსიმალური დიდი
(მაქსიმუმი)

单位
(ერთეული)

ICES

კოლექტორის გაწყვეტილი დენი
Კოლექტორის გამორთული დენი

VGE=OV,VcE=VCES

1

mA

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

mA

IGES

გატვირთვის დენი
Ღობეების გაჟონვის დენი

VGE=±20V,VcE=0V

1

μA

VGE ((თ)

极 -ოვაციური ღირებულება ელექტროპატენცია
Ღობეების ზღვრული ძაბვა

Ic=120mA,VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集电极 -ეთერზომიერი და ელექტროპრესი
Კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე
ვოლტი

VGE=15V,Ic=1200A

2.3

2.8

V

VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C

3.0

3.5

V

IF

ორსულიანი პირდაპირი ელექტრო ნაკადი
Დიოდური წინასწარი დენი

DC

1200

Ა

IFRM

二极管正向重复峰值电流 ორიგინალური ელექტრო ნაკადი
Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი

tp=1ms

2400

Ა

vF(1

ორსულიანი პირდაპირი ელექტროწნევის
Დიოდის წინამავალი ძაბვა

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A,Tvj=125°C

2.7

3.2

V

Კაი

შესვლის კაპასიტივობა
Შეყვანის სიმძლავრე

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

nF

Q₉

გატვირთვის დატვირთვა
Კარიბჭის გადასახადი

±15V

11.9

μC

Კრეს

უკანასკნელი გადაცემის კაპასიტივობა
Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

nF

LM

模块 ელექტროგრძნობა
Მოდულის ინდუქტენტობა

10

nH

RINT

შიდა შეზღუდვა
Ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

90

μΩ

ISC

მოკლე ჩართვის მიმდინარე
Მოკლე ჩართვის მიმდინარე, Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400V,
VGE≤15V,tp≤10μs,
VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt,

IEC 60747-9

5300

Ა

td(of)

关断延迟时间
Გამორთვის დაგვიანების დრო

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L ～ 180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RG(OFF)=2.7Ω

2700

n

tf

დასვენების დრო
Შემოდგომის დრო

700

n

Ეოფ

关断损耗
Გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

5800

mJ

tdon)

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ
Ჩართვის შეფერხების დრო

720

n

t

მოსვლის დრო
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

270

n

Ეონ

ვენეცია
Ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

3200

mJ

Qm

ორსულიანი საპირისპირო აღდგენის ელექტროტვირთვა
Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

/F=1200A
VcE =2800V
dip/dt =5000A/us

1200

μC

I

ორსულიანი საპირისპირო რეზერვუაციული ელექტრო ნაკადი
Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

1350

Ა

Ერეკი

二极管 უკუმიმართულების აღდგენის დანაკარგი
Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

1750

mJ

td(of)

关断延迟时间
Გამორთვის დაგვიანების დრო

Ic=1200A
VcE =2800V
Cge=220nF
L ～ 180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RGOFF)=2.7Ω

2650

n

tf

დასვენების დრო
Შემოდგომის დრო

720

n

Ეოფ

关断损耗
Გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

6250

mJ

tdon)

ვენთვნვნვნვნჟ თმვნ
Ჩართვის შეფერხების დრო

740

n

t

მოსვლის დრო
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

290

n

Ეონ

ვენეცია
Ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

4560

mJ

Q

ორსულიანი საპირისპირო აღდგენის ელექტროტვირთვა
Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

μC

I

ორსულიანი საპირისპირო რეზერვუაციული ელექტრო ნაკადი
Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე

1720

Ა

Ერეკი

二极管 უკუმიმართულების აღდგენის დანაკარგი
Დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია

3250

mJ