Modul IGBT,YMIF1200-33,IGBT Saklar Tunggal,CRRC

Parameter

Simbol

Kondisi

M dI

M ax

Unit

Tegangan kolektor-emitter

VCES

VGE=0V,Tvj≥25°C

3300

V

DC arus Kolektor

Ic

TC =80 °C

1200

A

Arus puncak kolektor

ICM

tp =1ms,Tc=80°C

2400

A

Tegangan gerbang emiter

VGE

-20

20

V

Total dissipasi daya

Ptot

TC =25°C, per saklar(IGBT)

10500

W

DC arus ke depan

IF

1200

A

Arus depan puncak

IFRM

tp = 1 ms

2400

A

Arus Tambahan

IFSM

VR = 0 V, Tvj = 125 °C,

tp = 10 ms, setengah gelombang sinus

9000

A

IGBT Short Circuit SOA

tPSC

VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

10

μs

Tegangan isolasi

Visol

1 menit, f = 50 Hz

10200

V

Suhu persimpangan

TVj

150

°C

Suhu operasi simpang

TVj ((op)

-50

125

°C

Suhu kasus

TC

-50

125

°C

Suhu penyimpanan

TSTG

-50

125

°C

Torsi pemasangan

M s

Panas dasar, sekrup M6

4

6

Nm

Mt1

Terminal utama, sekrup M8 ,

8

10

Mt2

Terminal tambahan, sekrup M6

2

3

Parameter

Simbol

Kondisi

min

jenis

max.

Unit

Tegangan breakdown kolektor (- emiter)

V ((BR) CES

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

3300

V

Tegangan saturasi kolektor-emiter

VCE sat

C = 1200 A, VGE= 15 V

Tvj=25°C

3.1

3.4

V

Tvj = 125°C

3.8

4.3

V

Kolektor dipotong arus

ICES

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

12

mA

Tvj = 125°C

120

mA

Listrik kebocoran gerbang

IGES

VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C

-500

500

nA

Tegangan ambang gerbang-emitter

VGE(th)

IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C

5.5

7.5

V

Biaya gerbang

Qg

IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V

12.1

μC

Kapasitas input

Ces

VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

187

nF

Kapasitansi Output

Coes

11.57

nF

Kapasitas transfer terbalik

Cres

2.22

nF

Waktu penundaan menyala

td (on)

VCC = 1800 V, IC = 1200A,

RG = 3.9Ω ,VGE =±15V

L σ = 280nH, beban induktif

Tvj=25°C

750

n

Tvj = 125°C

750

n

Waktu naik

tr

Tvj=25°C

400

n

Tvj = 125°C

470

n

Waktu penundaan pemutus

td (off)

Tvj=25°C

1600

n

Tvj = 125°C

1800

n

Waktu musim gugur

tF

Tvj=25°C

1100

n

Tvj = 125°C

1200

n

Kerugian switching saat menyala

EON

Tvj=25°C

1400

mJ

Tvj = 125°C

1800

mJ

Energi kehilangan saat mematikan

EOFF

Tvj=25°C

1300

mJ

Tvj = 125°C

1700

mJ

Arus sirkuit pendek

Isc

VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, beban induktif

5000

A

Parameter

Simbol

Kondisi

min

jenis

max.

Unit

Tegangan ke depan

VF

IF = 1200 A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

V

Arus pemulihan terbalik

Irr

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH, beban induktif

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

A

Muatan yang Dipulihkan

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

μC

Waktu Pemulihan Kembali

trr

Tvj = 25 °C

850

n

Tvj = 125 °C

2200

n

Energi Pemulihan Balik

Erec

Tvj = 25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

mJ