MK(H)x250 MK250, Modul Thyristor Pemutus Cepat, Pendinginan Udara

VRRM,VDRM

Tipe & Garis Besar

600V

MKx250-06-415F3

MHx250-06-415F3

800V

MKx250-08-415F3

MHx250-08-415F3

1000V

MKx250-10-415F3

MHx250-10-415F3

1200V

MKx250-12-415F3

MHx250-12-415F3

1400V

MKx250-14-415F3

MHx250-14-415F3

1600V

MKx250-16-415F3

MHx250-16-415F3

1800V

MKx250-18-415F3

MHx250-18-415F3

1800V

MK250-18-415F3G

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃)

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180°gelombang setengah sinus 50Hz Pendinginan sisi tunggal,Tc=85 ℃

125

250

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

392

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

80

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM

125

5.60

kA

Saya ²t

I2t untuk koordinasi peleburan

157

10³A ²s

VTO

Tegangan Ambang

125

1.30

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.38

m

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=750A

25

2.69

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

tq

Waktu mati komutasi sirkuit

ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

20

200

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.100

℃/W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.040

℃ /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

Fm

Torsi koneksi terminal(M10)

10.0

12.0

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

1260

g

Rangka kerja

415F3