GD400HTX120P6HL,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

ICN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

400

A

IC

Arus Pengumpul @ T F =100o C

250

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

PD

Dissipasi Daya Maksimum ation @ T F =75o C T j =175o C

862

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang gE

1200

V

IFN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

400

A

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

250

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

I2t

I2nilai t, t p =10ms @ T j =125o C @ T j =150o C

17860

15664

A2d

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi kontinu

Untuk 10s dalam periode 30s, kejadian maksimum 3000 kali selama masa hidup me

-40 hingga +150 +150 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

3000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=250A,V GE = 15V, T j =25o C

1.45

1.80

V

IC=250A,V GE = 15V, T j =125o C

1.65

IC=250A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

IC=380A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

IC=380A,V GE = 15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=9.75mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

2.4

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

33.6

nF

Coes

Kapasitansi Output

1.43

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.82

nF

T G

Biaya gerbang

V CE =600V,I C =250A, V GE =-8…+15V

1.98

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 250A, R G= 2,2Ω, LD=24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

231

n

t r

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

545

n

t f

Waktu musim gugur

172

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

19.6

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

23.2

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 250A, R G= 2,2Ω, LD=24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

241

n

t r

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

619

n

t f

Waktu musim gugur

247

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

26.6

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

28.7

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 250A, R G= 2,2Ω, LD=24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =150o C

245

n

t r

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

641

n

t f

Waktu musim gugur

269

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

30.1

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

30.9

mJ

ISC

Data SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =250A,V GE =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

IF =250A,V GE =0V,T j =125o C

1.45

IF =250A,V GE =0V,T j =150o C

1.40

IF =380A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

IF =380A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 250A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V LD=24nH ,T j =25o C

9.10

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

160

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

4.39

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 250A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =-8V LD=24nH ,T j =125o C

21.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

192

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.43

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 250A,

-di/dt=4120A/μs,V GE =-8V LD=24nH ,T j =150o C

25.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

203

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

9.97

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

8

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/mENIT ,T F =75o C

64

mbar

p

Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan

2.5

baton

R thJF

Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT )Cairan penghubung ke pendinginan (per D) yodium)

0.098 0.128

0.116 0.150

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat dari Modul

750

g